2015-12-28
org.kosen.entty.User@40051985
정동진(jdj1028)
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실험을 진행하다 풀리지 않는 부분이 있어 문의드립니다.
wafer에 비해 표면거칠기가 있는 세라믹plate에 Semi-additive process를 이용하여 금속층을 형성하려 합니다. sputter 공정을 이용하여 barrier layer로 Cr 혹은 Ti를 형성 후 Cu를 추가 증착한 다음 Cu도금으로 일정 두께를 구현하는데 plate상에 유의차를 보이며 barrier layer와 Cu층의 peeling strength가 나오지 않는 문제가 발생합니다. 박막 공정 상의 문제인지 아니면 도금 쪽에 원인이 있는지 원인을 찾기가 쉽지 않은 것 같습니다. 상기 내용과 관련하여 많은 조언 부탁드립니다.
그럼 수고들하세요~
wafer에 비해 표면거칠기가 있는 세라믹plate에 Semi-additive process를 이용하여 금속층을 형성하려 합니다. sputter 공정을 이용하여 barrier layer로 Cr 혹은 Ti를 형성 후 Cu를 추가 증착한 다음 Cu도금으로 일정 두께를 구현하는데 plate상에 유의차를 보이며 barrier layer와 Cu층의 peeling strength가 나오지 않는 문제가 발생합니다. 박막 공정 상의 문제인지 아니면 도금 쪽에 원인이 있는지 원인을 찾기가 쉽지 않은 것 같습니다. 상기 내용과 관련하여 많은 조언 부탁드립니다.
그럼 수고들하세요~
- thin film
- plating
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
김종수님의 답변
2015-12-28- 4
질문자님의 샘플 상태를 직접본것이 아니라 정확히는 잘 모르겠으나 써주신 설명을 토대로 봤을떄는 sputtering의 박막 공정상의 문제가 아닌가 싶습니다. 도금의 경우에는 이온이 환원되어 금속결합을 형성하는 강한 접착이나 sputtering 의 경우는 반데르 발스의 약한 인력으로 증착되기때문에 접착력이 약할 것으로 보입니다. 또한 질문자님쪽의 sputtering 장비가 어떠한지 모르겠지만 혹시 진공을 충분히 잡고 하는 증착이 아니라면 크롬의 경우 산화가 빠르기 때문에 그 위에 구리를 증착해도 접착력이 많이 나오지 않을 것으로 보입니다. 저희 연구실의 경우는 고진공하에 thermal 증착기를 이용해 크롬을 adhesion layer로 얇게 깐뒤에 메탈을 증착하는데 이 방법이 좀더 접착력이 강하게 증착할수 있지 않을까 생각됩니다.