2015-12-31
org.kosen.entty.User@4885af16
김종수(kjskumal)
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실리콘 옥사이드가 300nm 깔려있는 heavily doping 되어있는 실리콘을 게이트 전극으로 하고 그 위에 골드로 소스와 드레인쌍들을 증착한뒤 semiconductor로 쓸 그래핀을 전면에 전사헸습니다. (이때 그래핀은 밑으로 말리지 않아 확실히 밑의 실리콘 게이트 전극에는 닿치 않았습니다.) 지금까지는 그냥 배운대로 트랜지스터 간에 semiconductor 가 이어지지 않도록 면봉으로 그래핀을 긁어내는 isolation을 해왔으며 이 작업을 거치지 않으면 leakage current가 생기고 성능이 제대로 나오지 않습니다. 그런데 돌연 생각해보니 굳이 트랜지스터 간에 semiconductor를 분리해줘야하는 이유를 잘 모르겠습니다.
소스와 드레인을 가하는 팁은 특정 소스 및 드레인에만 컨택되어 있는데 왜 semicondutor로 연결되어있는 어떤 bias도 가해지지 않은 전극들이 영향을 미치는 건가요??
답변부탁드립니다
감사합니다.
소스와 드레인을 가하는 팁은 특정 소스 및 드레인에만 컨택되어 있는데 왜 semicondutor로 연결되어있는 어떤 bias도 가해지지 않은 전극들이 영향을 미치는 건가요??
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- isolation
- 트렌지스터
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답변 3
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답변
DELETED님의 답변
2016-01-12- 3
소스나 드레인 프로브에 연결되지 않은 임의의 전극 E의 경우에, 소스나 드레인 전극과 임의의 전극 E 사이에 전위차가 존재하므로 전류가 흐를 수 있습니다. -
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이상호님의 답변
2016-01-08- 2
제가 주어진 상황을 정확히 이해하였다면, isolation을 하지 않았을 경우에는 반도체막이 다른 TR의 전극에 연결되어 있는 것 같군요. 그럼 전류가 probe가 연결된 S/D 뿐만 아니라 다른 전극을 통해서도 낭비가 됩니다. -
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김종수님의 답변
2016-01-11- 1
답변 감사드립니다 그런데 소스 및 드레인에 연결되지 않은 다른 전극에서는 캐리어를 끄는 힘이 없는데 어떻게 전류가 그쪽으로 낭비가 되나요??