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지식나눔

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폴리실리콘 TFT의 전기적 특성

2016-02-25 org.kosen.entty.User@f00c5b8 장기현(jayz1226)
  • 1

첨부파일

폴리실리콘 채널 기반의 FET를 제작하여 전달특성(id-vg)과 출력특성(id-vd)을 측정해 보았습니다. 출력
특성에서는 일정이상의 드레인 전압 영역에서 드레인 전류의 포화영역(saturation)을 확인할 수 있었습니다. 
일반적인 실리콘 채널 기반의 소자에서 전달 특성의 경우도 일정이상의 게이트 전압 이상에서 드레인 전류는 포화되지만 폴리실리콘 기반의 이 소자는 드레인 전류가 포화되지 않고 계속 증가하는 현상이 나타납니다. 이와 같은 현상이 왜 발생하는지 궁금합니다. (그림을 첨부하였습니다. 소자는 BOX층 위에 폴리실리콘을 증착한 일반적인 planar 구조이며 채널인 폴리실리콘의 두께는 120nm, 게이트 산화막은 10nm입니다.)
 
  • 폴리실리콘
  • TFT
  • 전기적 특성
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답변 1
  • 답변

    이영범님의 답변

    2016-03-25
    • 2

    첨부파일

    channel length modulation이 의심됩니다. 적절한 Scaling 을 통해 해결 가능할 것으로 보입니다.
     
    답변수정
    channel length modulation이 의심됩니다. 적절한 Scaling 을 통해 해결 가능할 것으로 보입니다.
     
    장기현(jayz1226) 2016-03-27

    채널 디자인은 일반 실리콘과 동일합니다.

    L/W는 각각 10 micro meter/50 micro meter 입니다.

    Id-Vg뿐만 아니라 Id-Vd그래프 에서도 saturation이 일어나지 않는다면 어느정도는 이해가 됩니다만

    id-vd에서는 saturation이 일어났기에 이해가 잘 되지 않습니다.

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