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유기전계효과형 트렌지스터 및 현재 트렌지스터 성능 문의

유기전계형트랜지스터(Organic field effect transistor)에 대한 질문을 드린결과

유기전계효과형은 아직 많이 연구가 부족하여 상용화가 힘들것이라고 전망 하셨습니다.

논문을 보면 이러한 응용 척도를 홀이동도(hole mobility)와 게이트 문턱전압으로 판단하던데

이러한 데이터가 어떠한 판단기준이 되는지 알고 싶어요.











 
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답변 1
  • 답변

    김종수님의 답변

    유기전계형 트랜지스터 즉 OFET는 유기물의 값이 싸고 풍부하며 용액공정이 가능한 이점과 무엇보다도 유연성이 좋다는 측면에서 차세대 전자소자로 각광받고 있어 활발히 연구되는 중입니다만 아직 기존 실리콘 기반 전자소자에 비해서는 떨어지는 성능으로 상용화가 힘든것이 사실입니다. 하지만 최근 연구결과들을 보면 amorphous 실리콘 수준은 넘어 섰기에 기대를 모으고 있습니다.
    전자소자 성능의 척도는 말씀하신대로 모빌리티와 문턱전압을 포함해 on/off ratio, subthreshold swing 등 여러가지가 있습니다. 간단히 설명드리면 모빌리티가 좋을수록 전자 혹은 홀의 이동속도가 빨라 전자기기의 연산속도가 빨라지며 문턱전압이 게이트 0V 근처에 있을수록 소자를 동작시키는 즉 기기의 소비전력이 적게 듭니다.
    유기전계형 트랜지스터 즉 OFET는 유기물의 값이 싸고 풍부하며 용액공정이 가능한 이점과 무엇보다도 유연성이 좋다는 측면에서 차세대 전자소자로 각광받고 있어 활발히 연구되는 중입니다만 아직 기존 실리콘 기반 전자소자에 비해서는 떨어지는 성능으로 상용화가 힘든것이 사실입니다. 하지만 최근 연구결과들을 보면 amorphous 실리콘 수준은 넘어 섰기에 기대를 모으고 있습니다.
    전자소자 성능의 척도는 말씀하신대로 모빌리티와 문턱전압을 포함해 on/off ratio, subthreshold swing 등 여러가지가 있습니다. 간단히 설명드리면 모빌리티가 좋을수록 전자 혹은 홀의 이동속도가 빨라 전자기기의 연산속도가 빨라지며 문턱전압이 게이트 0V 근처에 있을수록 소자를 동작시키는 즉 기기의 소비전력이 적게 듭니다.
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