2016-10-21
org.kosen.entty.User@7299b7ae
조태종(jtj0656)
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1. 일반적으로 전도성 고분자만을 유리판 위에 코팅한 후 4 point prove meter를 측정하면 전도도가 나오지 않는다고 알고 있습니다. FeCl3 또는 I2 같은 dopant를 이용하여 doping을 하는 이유와 doping되는 과정 또는 메커니즘이 궁금합니다.
2. p-type , n-type dopant 종류와 각각의 특징 또는 어떠한 경우에 p-type 또는 n-type을 쓰는지가 궁금합니다.
2. p-type , n-type dopant 종류와 각각의 특징 또는 어떠한 경우에 p-type 또는 n-type을 쓰는지가 궁금합니다.
- 전도성고분자
- doping
- dopant
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답변 1
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답변
김종수님의 답변
2016-10-27- 3
1. 단일결합, 다중결합이 연속되는 전도성 고분자에서 산화를 시키거나 환원을 시켜 홀 혹은 전자가 형성되어야 그것이 공명현상으로 carrier가 이동하면서 전도성이 증가합니다. 아이오딘의 경우 전기음성도가 커 EWG(e withdrawing ~)으로 작용하여 고분자에 홀을 형성하고 이것이 공명현상으로 파이오비탈 구름에서 이동을 하며 전도성을 띠게 됩니다
2. p-type dopants는 메이저케리어로 홀을 발생시키고 n-type dopants는 메이저케리어로 전자를 발생시킵니다. 반도체 소자의 경우 한가지 타입만으로는 로직을 구현하기가 힘드며(가능은합니다.) 주로 CMOS 형태로 p-type 과 n-type 반도체 두가지를 이용해 인버터를 구성하고 로직 써킷을 작동시킵니다.