2018-04-25
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김성수(zero1521)
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반도체 공정에서 마지막에 둘 중하나를 선택? 하는 형식으로 공정을 진행하는데
어떤 경우에 etching을 하고 어떤 경우에 ion implant를 진행하는게 좋은지 잘모르겠습니다.
etching에도 종류가 많긴 한데 ion implant가 접근성이 떨어지고 공정상으론 좋다고 되어있는데 두가지를 비교할수 있게 설명좀 부탁드려요
어떤 경우에 etching을 하고 어떤 경우에 ion implant를 진행하는게 좋은지 잘모르겠습니다.
etching에도 종류가 많긴 한데 ion implant가 접근성이 떨어지고 공정상으론 좋다고 되어있는데 두가지를 비교할수 있게 설명좀 부탁드려요
- etch
- implant
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답변 3
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답변
김종수님의 답변
2018-04-25- 3
etching과 ion implant는 전혀 다른 공정입니다
둘다 반도체 8대 공정 중 하나이며
에칭은 포토공정이후 PR에 의해 패터닝 된 상태에서 원하는 부분을 식각하는 공정이고
이온임플란타는 반도체 일반적으로 Si에 불순물 이온을 도핑시킴으로써 원하는 정도의 물성을 구현하는 공정입니다.
에칭의 경우 아주 옛날에는 케미컬을 이용한 WET 에칭을 썻지만 꽤 옛날부터 이후 지금까지는 거의 플라즈마로 때려 식각시키는 DRY에칭을 사용하며
이온 임플란타로는 소스 드레인 게이트에 최대치로 도핑시켜 금속역할을 하는 폴리실리콘을 구현하고(최근에는 METAL GATE를 쓰기도 합니다) 채널에는 원하는 물성으로 계산하여 적당히 도핑시켜 N-TYPE 혹은 P-TYPE 채널을 구현합니다.
질문자체가 너무 포괄적인 것을 비교하는거라 자세한 얘기는 못하겠네요 궁금하신거 잇으시면 더 물어보세요
김종수(kjskumal) 2018-05-01그럴리가요 습식은 요즘은 마이크로 단위쓰는 연구실 쪽에서나 가끔쓰고 대부분이 건식 씁니다 연구실에서 주로 사용하는 RIE가 건식 에치이지요
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답변
김종훈님의 답변
2018-05-01- 1
마지막에 둘 중 하나를 선택한다는게 무슨 의미인가요??
에치나 이온임플란트나 둘다 마지막으로 하는 공정도 아니고 아예 다른 의미의 공정입니다. 간단히 말해서 에치는 깍아내는 것 이온임플란트는 불순물을 침투시켜 물성을 변화시키는 것이라고 보면됩니다. -
답변
정연학님의 답변
2018-05-02- 1
식각(Etching)공정에서는 밑그림 중 불필요한 부분을 없애는 즉, 회로의 패턴 중 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분은 깎아내는 작업을 수행합니다. Photo Lithography 공정에서 Photo Resist을 형성했다면 식각 공정에서는 액체 또는 기체의 etchant를 사용하여 부식을 진행하여 불필요한 부분을 없애는 작업입니다.
식각 공정은 크게 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라 습식과 건식 두 가지로 나눌 수 있는데요.
건식은 습식에 비해 많은 비용이 들고 방법이 까다롭다는 단점이 있지만 최근 수율의 증대와 극미세 회로 식각을 위하여 건식이 널리 사용되고 있습니다.
반도체가 전기적인 성질을 가지게 되려면 증착막에 이온을 주입하는 공정이 수반되어야 합니다.
이온주입 공정(Ion implantation)은 말 그대로 반도체에 전기적 성질을 띠는 입자를 회로패턴과 연결된 부분에 주입시키는 공정입니다. 이 때 이온이라 함은 붕소(B), 인(P), 비소(As) 등과 같은 불순물을 일컫는데요, 불순물을 미세한 가스입자로 만들어 원하는 깊이만큼 웨이퍼 전면에 균일하게 넣어줌으로써 일정한 전도성을 갖도록 만드는 과정입니다.
etching과 Ion implantation는 전혀 다른 공정입니다.
김종훈(vivace) 2018-05-08식각 공정에서 건식의 ETCHANT를 그냥 기체라고만 하기에는 문제가 있지않을까요?? 플라즈마가 주이고 이 플라즈마에 반응한 기체 라디칼이 식각하는 것으로 알고 있습니다. 그리고 이온주입공정은 전기적 성질을 띠는 입자를 넣는 것이 아니라 족수가 다른 불순물을 반도체 입자 사이사이에 주입시켜 전자 혹은 홀을 생성시켜 전기적 성질을 부여하는 것으로 알고 있습니다.
에칭을 습식 으로만 하는것으로 알고 있었는데 바뀌었군요...프루오르산황산등등 사용해서...