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지식나눔

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반도체 공정에 관하여 질문있습니다ㅎㅎ

2018-05-08 org.kosen.entty.User@6f79b0cb 이승렬(lsl1500)
  • 4
반도체를 공부하는 중이라 모르는 것이 너무 많습니다... 정말 알려주시면 감사하겠습니다.

1.흔히 반도체 8대공정이라고 하는데 이 8대공정 중 particle을 제거할 수 있는 공정이 무엇인지 알려주시면 감사하겠습니다.(웨이퍼-oxidation-photo-etching-thin film-금속회로-eds-packaging)

2.어떤 2개의 물질을 증착하려고합니다. 첫번째 물질을 증착하고 두번째 물질을 증착하려는데 particle이 발생했으면 이 첫번째와 두번째 증착사이에 무슨 공정을 넣어야 particle을 제거 할 수 있나요? 1번과 같은 문제인지...
 
  • 8대공정
  • 반도체
  • particle
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답변 4
  • 답변

    김종훈님의 답변

    2018-05-08
    • 2
    반도체의 8대 공정이라는게 여기저기서 말이 다르긴한데
    photo thinfilm 이온임플란타 에치 클린 CMP METAL PACKAGE로 나누는게 보통입니다.
    그 중 당연히 PARTICLE 제거 공정은 CLEAN이죠 보통 에치 후나 CMP 후 공정 라인간 이동시 그리고 포토 공정을 REWORK할때 클린 공정을 사용하며 어떤 공정의 후속인지에 따라 클린용액에도 여러가지가 있습니다. 

    두번째 문제의 질문이 좀 애매하긴한데 두번째 물질을 증착하려는데 PARTICLE이 발생했다는게 두번쨰 물질을 DEPO하고 발견하는 경우인가요? 아니면 DEPO 전에 발견하는 경우인가요??
    좀 애매하긴 합니다만 PARTICLE이 문제라면 앞서 말했듯이 CLN공정을 써야겠지요
    답변수정
    반도체의 8대 공정이라는게 여기저기서 말이 다르긴한데
    photo thinfilm 이온임플란타 에치 클린 CMP METAL PACKAGE로 나누는게 보통입니다.
    그 중 당연히 PARTICLE 제거 공정은 CLEAN이죠 보통 에치 후나 CMP 후 공정 라인간 이동시 그리고 포토 공정을 REWORK할때 클린 공정을 사용하며 어떤 공정의 후속인지에 따라 클린용액에도 여러가지가 있습니다. 

    두번째 문제의 질문이 좀 애매하긴한데 두번째 물질을 증착하려는데 PARTICLE이 발생했다는게 두번쨰 물질을 DEPO하고 발견하는 경우인가요? 아니면 DEPO 전에 발견하는 경우인가요??
    좀 애매하긴 합니다만 PARTICLE이 문제라면 앞서 말했듯이 CLN공정을 써야겠지요
    이승렬(lsl1500) 2018-05-22

    감사합니다ㅎㅎ

  • 답변

    김종수님의 답변

    2018-05-08
    • 1
    웨이퍼-oxidation-photo-etching-thin film-금속회로-eds-packaging
    보통 반도체 회사에서
    웨이퍼는 보통 하청 줘서 사다 쓰고요
    oxidation은 Diffusion & Ion implant에서
    photo는 포토에서
    에치도 마찬가지로 에치에서
    thin film은 CVD
    금속회로는 Metal
    EDS랑 패키징은 패키지팀쪽으로 넘어가서 진행됩니다. 
    반도체 연구개발쪽을 공부하시는 거라면 oxidation에서 Metal까지를 보시면 되는데 이 부분에서 particle이 회로에 영향을 미치며 이를 제거하기 위해 각각의 공정에 strip, 세정 등의 cleaning을 하게 되는데 이를 도맡는 클린 부서가 따로 있습니다.
     
    답변수정
    웨이퍼-oxidation-photo-etching-thin film-금속회로-eds-packaging
    보통 반도체 회사에서
    웨이퍼는 보통 하청 줘서 사다 쓰고요
    oxidation은 Diffusion & Ion implant에서
    photo는 포토에서
    에치도 마찬가지로 에치에서
    thin film은 CVD
    금속회로는 Metal
    EDS랑 패키징은 패키지팀쪽으로 넘어가서 진행됩니다. 
    반도체 연구개발쪽을 공부하시는 거라면 oxidation에서 Metal까지를 보시면 되는데 이 부분에서 particle이 회로에 영향을 미치며 이를 제거하기 위해 각각의 공정에 strip, 세정 등의 cleaning을 하게 되는데 이를 도맡는 클린 부서가 따로 있습니다.
     
    이승렬(lsl1500) 2018-05-22

    감사합니다

  • 답변

    김건우님의 답변

    2018-05-20
    • 0
    반도체의 8대 공정이 보편화 되어있긴하지만, photo thin film 이온 임플란타 etch 클린 CMP METAL PACKAGE로 나누는게 보통입니다. 그 중 당연히 PARTICLE 제거 공정은 CLEAN이죠 보통 에치 후나 CMP 후 공정 라인간 이동시 그리고 포토 공정을 REWORK할때 클린 공정을 사용하며 어떤 공정의 후속인지에 따라 클린용액에도 여러가지가 있습니다.
    답변수정
    반도체의 8대 공정이 보편화 되어있긴하지만, photo thin film 이온 임플란타 etch 클린 CMP METAL PACKAGE로 나누는게 보통입니다. 그 중 당연히 PARTICLE 제거 공정은 CLEAN이죠 보통 에치 후나 CMP 후 공정 라인간 이동시 그리고 포토 공정을 REWORK할때 클린 공정을 사용하며 어떤 공정의 후속인지에 따라 클린용액에도 여러가지가 있습니다.
    이승렬(lsl1500) 2018-05-22

    역시 CLEAN이군요 ㅎㅎ 알려주셔서 감사합니다

  • 답변

    김진의님의 답변

    2018-08-08
    • 0
    Cleaning 공정을 말씀하시는 거 같구요. 앞에서 다 설명하셨는데...
    Wafer 투입 전 사전 cleaning 방법으로
    상압플라즈마를 활용하여 표면 개질 및 cleaning을 진행하구요.
    증착 공정 진행 시에는 in-situ plasma 적용하여 cleaning을 진행합니다.
    이중막의 경우,
    1차 막형성 전 cleaning이 중요하며 그 결과에 따라 particle여부가 결정이 되는데요.
    1차 공정 후 batch type으로 형성을 할경우 말씀하신 것처럼 particle발생이 가능하며 이 경우
    간단히 증착 전 plasma cleaning 정도 진행하면 될 거 같습니다.
    답변수정
    Cleaning 공정을 말씀하시는 거 같구요. 앞에서 다 설명하셨는데...
    Wafer 투입 전 사전 cleaning 방법으로
    상압플라즈마를 활용하여 표면 개질 및 cleaning을 진행하구요.
    증착 공정 진행 시에는 in-situ plasma 적용하여 cleaning을 진행합니다.
    이중막의 경우,
    1차 막형성 전 cleaning이 중요하며 그 결과에 따라 particle여부가 결정이 되는데요.
    1차 공정 후 batch type으로 형성을 할경우 말씀하신 것처럼 particle발생이 가능하며 이 경우
    간단히 증착 전 plasma cleaning 정도 진행하면 될 거 같습니다.
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