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지식나눔

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Ar plasma cleaner의 장비 압력, power, sccm는 어느정도인가요?

2023-07-13 org.kosen.entty.User@47966515 장효원(dkeldhtm159)
  • 2
원래는 Ar plasma cleane를 이용해 Ar plasma를 가하는 실험을 RIE 장비로 바꿔 실험해보고 싶은데 레시피 설정에 있어 어려움이 있어 글 올립니다.,
보통 Ar plasma cleaner의 장비 압력, power는 어느정도인가요?
RIE 장비의 경우 더 power가 세니까 조절이 필요할 것 같은데 100W 정도에 2sccm 정도면 plasma treatment가 될까요?
  • Ar plasma cleaner
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답변 2
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    김병관님의 답변

    2023-07-19
    • 0

    안녕하세요.

    Plasma를 사용하는 목적에 따라 파워나 압력 등을 조절해보셔야할 것 같습니다. Etching이나 에너지원 공급으로 사용하냐 등에 따라 다양한 목적으로 조건을 조절해야 원하는 실험을 진행할 수 있습니다.


    한 논문을 찾아보면 100 W, 25 sccm의 SF6/Ar, CF4/Ar 혼합기체로 에칭하는 조건이 나와있습니다.

    관련 실험의 논문을 좀더 찾아보시면 적절한 조건범위를 정할 수 있을 것 같네요.

    2 sccm면 작은 유량에 속하긴 합니다.

    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0960-1317/18/10/105001/pdf

    Table 1. Etching rates versus chamber gas pressure under ICP and plasma modes

    ICP (W) 100 100 500

    Bias (W) 590 590 40

    Ar (sccm) 17 33 70

    Gas (sccm) 25 50 70

    Pressure (Pa) 0.4 1.3？6.7 1.3？10.7

    답변수정

    안녕하세요.

    Plasma를 사용하는 목적에 따라 파워나 압력 등을 조절해보셔야할 것 같습니다. Etching이나 에너지원 공급으로 사용하냐 등에 따라 다양한 목적으로 조건을 조절해야 원하는 실험을 진행할 수 있습니다.


    한 논문을 찾아보면 100 W, 25 sccm의 SF6/Ar, CF4/Ar 혼합기체로 에칭하는 조건이 나와있습니다.

    관련 실험의 논문을 좀더 찾아보시면 적절한 조건범위를 정할 수 있을 것 같네요.

    2 sccm면 작은 유량에 속하긴 합니다.

    https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0960-1317/18/10/105001/pdf

    Table 1. Etching rates versus chamber gas pressure under ICP and plasma modes

    ICP (W) 100 100 500

    Bias (W) 590 590 40

    Ar (sccm) 17 33 70

    Gas (sccm) 25 50 70

    Pressure (Pa) 0.4 1.3？6.7 1.3？10.7

    장효원(dkeldhtm159) 2023-07-19

    에칭이 아닌 에너지원 공급용으로 사용하려면 좀 더 유량을 약하게 해도 될까요?

  • 답변

    김주남님의 답변

    2023-08-25
    • 0

    플라즈마 장비를 다루실때 단순히 파워로 생각하시면 않됩니다.  면적과 거리를 생각하셔서 에너지 밀도로 접근해야합니다.

    단순히 생각해봐도 캐소드가 큰 장비에 거는 파워와 작은 캐소드에 거는 파워가 똑같다면 어느쪽이 더 높은 에너지를 가질지는 명백해집니다.

    논문들에 나와있는 값들은 단순히 파워로 되어 있고, 에너지 밀도를 거론하고 있는 논문은 많이 없습니다.

    그러니, 결국 경험적으로 찾는 수 밖에 없습니다. 노가다지요...

    마스크 등을 이용해서  파워와 가스유량을 적당히 조절해가면서 Etching Rate를 찾아갈 수 밖에 없습니다.

    힘내세요~

    답변수정

    플라즈마 장비를 다루실때 단순히 파워로 생각하시면 않됩니다.  면적과 거리를 생각하셔서 에너지 밀도로 접근해야합니다.

    단순히 생각해봐도 캐소드가 큰 장비에 거는 파워와 작은 캐소드에 거는 파워가 똑같다면 어느쪽이 더 높은 에너지를 가질지는 명백해집니다.

    논문들에 나와있는 값들은 단순히 파워로 되어 있고, 에너지 밀도를 거론하고 있는 논문은 많이 없습니다.

    그러니, 결국 경험적으로 찾는 수 밖에 없습니다. 노가다지요...

    마스크 등을 이용해서  파워와 가스유량을 적당히 조절해가면서 Etching Rate를 찾아갈 수 밖에 없습니다.

    힘내세요~

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