지식나눔

XPS, XRF, XRD 비교 및 분석

반도체 계측 및 측정 장비 (XPS, XRF, XRD)에 대해 조사 중인데 뭔가 확 와닿는 자료가 없네요 ㅠㅠㅠ

특징에 대한 정보만 나오고

각각의 특징들 중  실질적으로 가장 중요한 특징이 뭔지, 공정을 분석할 때 어떻게 쓰이는 지 자세하게 안 나와있어요 ㅠㅠㅠ


자세히 아시는 분 있으면 설명 부탁드립니다1

  • 계측
  • 분석
  • 측정
  • XPS
  • XRF
  • XRD
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    변성천님의 답변

    세 가지 측정장비가 X-ray를  시료에 조사하여 분석하는 장비입니다.


    시료에서 나오는 신호들 중에서


    XPS에서 광전자

    XRF 에서 특성 X선

    XRD에서 입사된 x선을 이용합니다.


    XRF는 특성 x선을  검출하여,  시료의 원소 성분 ( ED-XRF) 혹은 화학결합 (WD-XRF) 을 봅니다.

    XRD는 일반적으로 회절된 X선을 이용하여 결정구조를 보거나 화학결합도 알 수 있습니다. (  일단 정확한 원소를 선택시 )

    XPS는 시료에서 튀어나온 광전자의 에너지를 측정하여 바인딩 에너지와 틀어진 정도를 분석하여 원소 및 결합구조를 알 수 있습니다.


    세 가지가 화학 결합을 알 수 있는데 

    측정방식이 달라서 측정되는 영역 , 특히나 깊이에서 차이가 납니다.


    XRF와 XRD는 X선을 이용하다 보니 몇 um  깊이 까지 분석이 됩니다.


    XPS는 광전자가 나올 수 있는 깊이가 대략 5-10nm 아래로 생각하고 분석합니다.



    그래서  최근에는 표면의 변화를 보고자 할때 다른 장비보다는 XPS를  많이 이용하고 있습니다.

    세 가지 측정장비가 X-ray를  시료에 조사하여 분석하는 장비입니다.


    시료에서 나오는 신호들 중에서


    XPS에서 광전자

    XRF 에서 특성 X선

    XRD에서 입사된 x선을 이용합니다.


    XRF는 특성 x선을  검출하여,  시료의 원소 성분 ( ED-XRF) 혹은 화학결합 (WD-XRF) 을 봅니다.

    XRD는 일반적으로 회절된 X선을 이용하여 결정구조를 보거나 화학결합도 알 수 있습니다. (  일단 정확한 원소를 선택시 )

    XPS는 시료에서 튀어나온 광전자의 에너지를 측정하여 바인딩 에너지와 틀어진 정도를 분석하여 원소 및 결합구조를 알 수 있습니다.


    세 가지가 화학 결합을 알 수 있는데 

    측정방식이 달라서 측정되는 영역 , 특히나 깊이에서 차이가 납니다.


    XRF와 XRD는 X선을 이용하다 보니 몇 um  깊이 까지 분석이 됩니다.


    XPS는 광전자가 나올 수 있는 깊이가 대략 5-10nm 아래로 생각하고 분석합니다.



    그래서  최근에는 표면의 변화를 보고자 할때 다른 장비보다는 XPS를  많이 이용하고 있습니다.

    등록된 댓글이 없습니다.
  • 답변

    조윤환님의 답변

    분석법 각각의 특징에 대해선 다른 분이 핵심을 잘 설명해주셨기에 도움이 될만한 링크를 추천드립니다.

    https://www.thermofisher.com/kr/ko/home/industrial/manufacturing-processing/manufacturing-processing-learning-center/electronics-information/semiconductor-analysis-imaging-metrology-information.html






    분석법 각각의 특징에 대해선 다른 분이 핵심을 잘 설명해주셨기에 도움이 될만한 링크를 추천드립니다.

    https://www.thermofisher.com/kr/ko/home/industrial/manufacturing-processing/manufacturing-processing-learning-center/electronics-information/semiconductor-analysis-imaging-metrology-information.html






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