2024-04-04
org.kosen.entty.User@3a22474c
익명
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n doped si 기판의 workfunction은 doping을 하면 할수록 4.1에 가까워 지는 것으로 알고 있었는데
논문을좀 검색해보면 surface에서는 4.6~4.85 eV 라고하네요..
그러면 n+ 기판을 다른 semiconductor와 접합시켰을때 workfunction을 4.1이라고 해야할깡요 4.85라고 해야할까요??
- n-Si
- workfunction
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