2024-06-27
org.kosen.entty.User@72327ce
익명
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TLM pattern 측정으로 oxide 물질 측정하고 있습니다.
TaOx나 HfOx 측정하고 있고 두께는 5nm~100nm까지 가변시켜봤습니다.
위에 메탈은 Ag 200um, 패드 폭은 10um(+10um)로도 해봤고 50um(+50um)로도 해봤습니다.
찍을 때마다 -10V~+10V(0.001step)에서 100pA가 나왔으며 전혀 경향성이 없게 나와서 저항을 추출할 수 없었습니다.
문헌이나 과거 기록에서 resistivity가 그렇게 높진 않은 물질인데 왜 이렇게 안찍히는 걸까요 ..?
다른 IGZO 물질은 잘 찍혀서 TaOx나 HfOx도 잘 찍힐 줄 알았는데 전혀 안찍히네요..ㅠㅠ
- 반도체
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