2007-03-08
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한별(supertomat)
- LTPS(Low Temperature Poly Silicon) ALD (Atomic Layer Deposition)
결정질 실리콘 (poly-Si) TFT는 기존의 비정질 실리콘 (a-Si:H) TFT보다 전계효과 이동도가 높고 구동 전류가 높아서 TFT panel 위에 LCD 구동회로를 내장할 수 있다. 따라서 생산원가 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, poly-Si TFT는 고해상도의 TFT-LCD의 제조가 가능하다.
본 연구실에서는 대형의 유리 기판 위에 저온에서 as deposited 상태로 결정질의 Si 박막을 증착하기 위하여 새로운 저온 박막 증착 공정인 원자층 증착법 (ALD, atomic layer deposition)을 적용하여 기존 연구들의 문제점들을 해결하고자 한다.
- HA(Hydroxy apatite) PLD(Pulsed Laser Deposition)
HA는 사람의 뼈나 치아의 화학적 성분과 유사하기 때문에 생체 재료로써 널리 사용되고 있다. 본 연구실에서는 특히 치과용 implant재료로 쓰이는 HA를 Pulsed laser를 이용해 증착하고 있다. PLD법은 기존의 HA 증착법에 비해 코팅층의 고밀도화, 고결정성 및 두께 조절의 정밀한 제어가 가능하며 Phase 조절 및 implant와의 결합력이 우수하다. 또한 복잡한 조성의 물질을 비교적 쉽게 화학량론적으로 증착한다.
- PSII(Plasma Source Ion Implantation)
플라즈마 방식의 이온주입(PSII, plasma aource ion implantation)은 기존 beam line 방식의 이온주입보다 장치가 간소하고 저가이며, 높은 이온주입 속도를 갖고 있다. 이에 차세대 초고집적 반도체의 shallow junction 형성 공정으로 각광받고 있다. 플라즈마 이온주입 장치는 고밀도 플라즈마 발생을 이용하기 때문에 플라즈마 발생과 이온주입의 동기화 밀도유지에 관한 연구가 필요하며 열처리를 통한 dopant 활성화가 필요하다.
본 실험실에서는 플라즈마 방식의 이온주입에 관한 연구를 통해 차세대 초고집적 반도체에 필요한 요구사항을 해결해 나가고 있다.
국가
대한민국
소속기관
세종대학교 (학교)
연락처
02-3408-3778 http://dasan.sejong.ac.kr/~wjlee/
책임자
이원준 wjlee@sejong.ac.kr