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현재의 Electronics분야에서는 광대역 초고속 통신서비스에 대한 수요증가로 보다 다양하고 많은 양의 정보를 짧은 시간 내에 전송할 수 있는 High Speed Device 및 Integrated Circuit의 개발이 절실히 요구되고 있다. 차세대 초고속 광통신망(100~160Gbps)과 광대역 무선통신 시스템(60~200GHz)을 위해서는 기존 기술의 한계를 극복해야 한다. 이를 위해서 High Speed Nanoelectronics 연구의 중요성은 증대되고 있다. 선진국(미국, 일본, 유럽)에서는 이러한 중요성을 인식하고 이 분야에 대한 대학과 연구소를 중심으로 체계적이고 활발한 연구가 진행되고 있다. 이러한 관점으로부터 High Speed Nanoelectronics Lab(HSNL)에서는 크게 두 가지 방향에서 연구를 수행하고 있다. (1) 화합물 반도체(III-V)를 이용한 미래지향적 Nano/Tera-Hz Device/IC 연구 초고속 특성이 우수한 InP, GaAs등의 물질을 기반으로 하여 High Speed, Low Power Consumption의 Electronics & Optoelectronics Application을 위한 연구가 수행되고 있으며, 이러한 연구를 바탕으로 Microwave Device 기술을 보유하고 있으며, 또한 최근 각광을 받고 있는 Wide band-gap 반도체인 GaN를 이용한 Microwave Power Device Technology에 관한 연구도 수행 중이다. 이를 위해서 현재 HSNL에서는 In-House Fabrication Equipment를 이용한 Nano Patterning과 공정기술을 통해 Nano scale의 Devcie와 새로운 Quantum-Effect Device를 개발하고 있으며, 이러한 결과를 Quantum Muiti-Functional Ic 및 MMIC/OEIC 등에 적용하는 창의적인 연구를 수행하고 있다. (2) 실리콘(Si)을 기반으로 하는 Device / IC Technology 연구 실리콘 기반의 반도체기술을 최적화 하고 개선하는 방향에서의 연구가 활발히 수행되고 있으며, Si-Based Optoelectronics로서 CMOS Image Sensor (CIS)에 관한 연구를 수행 중이다. 또한, 현재 까지의 image는 2차원 정보밖에 얻을 수 없어, 거리 정보는 상실되고 말아 버리는 단점이 있었다. 사람의 눈은 2차원적인 정보뿐만 아니라 거리까지도 식별할 수 있으므로, HSNL에서는 Human eye를 구하기 위해서 2차원적인 color image뿐만 아니라 거리 정보를 동시에 얻는 3차원 image를 얻는 연구를 수행하고 있다. 이를 위해서 HSNL에서는 Photodiode 등의 Device와 주변 readout circuit 및 Analog to Digital Converter(ADC), Counter 등 CIS System을 구성하기 위한 IC 개발에 박차를 가하고 있다. 또한 3차원 image를 얻기 위해서는 image에 빛을 보내 그 빛이 되돌아오는 시간을 구하여 거리 정보를 얻어야 하므로 발광 소자인 Laser와 그 구동회로의 설계에도 힘을 쏟고 있다