초고주파 대역
필터 소자
최근 정보통신 분야의 발달과 더불어 초고주파 대역에서 동작하는 소자의 필요성이 증가하고 있다. 그 가
운데 본 연구실은 초고주파 대역 필터의 제조에 관심을 갖고 ZnO, AlN와 GaN 박막의 압전특성을 이용한
Surface Accoustic Wave(SAW) filter와 Film Bulk Accoustic Wave Resonator (FBAR)의 제조기술에
관한 연구를 수행 하고 있다.
[분야-2]
Plasma Immersion
Ion Doping
CMOS 소자의 크기가 작아지면서 Source/Drain의 접합 깊이도 점점 얕아지고 있다. 30nm의 접합 깊이는
기존의 Ion Implanter로 형성하기가 매우 어렵다. 본 연구실에서는 Plasma Doping System을 이용하여
100nm 이하 Gate 길이를 가지는 CMOS 소자에 적용하기 위하여 도핑되지 않은 폴리 실리콘에 고농도의
n+/p+를 Counter Doping하는 방법을 최적화 하고 30nm 정도의 얕은 접합 형성을 위한 도핑 방법 및 측
정법에 대해서 연구한다.
[분야-3]
박막의 신뢰성 평가
ALD, Sputter 등으로 증착되어진 박막을 CMOS 공정에 이용하기 위한 박막의 신뢰성 평가를 연구하고
있다. 특히 MOSFET의 Gate 절연막은 두께가 얇아질수록 소자의 성능은 증가하지만 신뢰성은 매우 취약
하게 된다.
[분야-3]
Gate Oxide
신뢰성 분석
Gate oxide의 생기는 Interface trap에 의해 device가 쉽게 breakdown이 일어나는 경우가많다. 이를 보안하기 위해 gate oxide에 중수소를 주입하여 bonding을 강하게 하였다. 이에 소자의 특성이 어떻게 변하는 지를 분석하고, 스트레스에 내성을 평가하여 분석하는 것을 연구한다.
국가
대한민국
소속기관
경북대학교 (학교)
연락처
053-950-5520 http://palgong.knu.ac.kr/~yhlee/main.htm
책임자
이용현 yhlee@ee.knu.ac.kr
