2006-01-18
org.kosen.entty.User@4d9bb478
권슬아(kwonsa)
Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물들은 Laser Diodes(LD),Light-Emmiting Diodes(LED), optical waveguide 그리고 optical detector 와 같은 광전자 소자의 광통신 시스템으로의 다양한 응용성으로, 현재 그 중요성을 크게 주목받고있으며, 이에 따른 연구와 개발이 활발하게 이루어지고 있는 물질들이다. 우측의 그림은 GaN 와 InN의 화합물을 이용한 적, 녹, 청색의 발광소자의 뛰어난 휘도를 보여주는 한 예로서, 잘 알려져 있듯이, 청색과 UV계열의 발광소자의 개발은 실제의 빛에 가까운 Display system 으로의 실현성에 대한 가능성으로현재 전 세계적으로 앞다투어 연구되고 있다. 이러한 광전자소자의 대부분의 중요한 특성은 반도체 물질내에 존재하는 전자들의 밴드간 상호작용이 만드는 band-gap 부근의 특성에 기인한다. 따라서, 반도체소자로의 응용은 물질내의 광전기적(optoelectronic) 성질에 대한 이해가 기본적이고도 필수적이라고 할 수 있다. 본 연구실에서는 대표적인 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물을 중심으로 광전자소자로의 응용성을 지닌 다양한 새로운 화합물들의 개발과, 기록매체에 있어서 중요한 부분을 이루고 있는 ferrite계 자성체물질의 여러 가지의 성장방법을 시도하고 있으며, 이렇게 성장된 시료들에 대하여 타원분광해석기외 다양한 측정을 이용하여 기본적인 광학적 성질과 밴드구조상의 분석이 행해지고 있다. 연구되고 있는 시료들의 layer 구조는 기본구조인 epi-layer 외에도 광전자소자에서 active-layer의 역할을 하는 양자우물구조(quantum-well), 양자격자구조(superlattice), 양자점(quantum-dot)구조도 함께 다루어지고 있다.
국가
대한민국
소속기관
건국대학교 (학교)
연락처
책임자
김광주 kjkim@konkuk.ac.kr