2012-11-27
org.kosen.entty.User@c82cf6b
정혜주(frv0906)
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차세대 조명용 반도체 LED 연구
LED 의 성능 향상을 위해 내부 양자 효율 향상, 외부 양자 효율 향상, 형광체 효율 향상 등의 핵심 기술이 필요합니다. 질화물 기반 LED 연구팀에서는 LED 의 내부 양자 효율 향상을 위해 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 질화물 LED (Light Emitting Diode) 제작을 위한 양자 구조의 성장 및 고품위 GaN 성장에 대한 연구를 수행하고 있습니다.
Multi- Junction 태양 전지 연구
solar cell 연구팀에서는 고효율의 태양 전지기술개발을 위해 Si 기판 위에 Multi Junction Solar Cell 을 성장하는 연구를 진행 중입니다. 일반적으로Multi Junction Solar Cell 은 기판과 Ge Bottom Cell 을 동시에 이용 하기 위해 Ge 기판 위에 성장하지만 기술 개발 정도와 생산성으로 보았을 때 Ge 기판보다는 Si 기판을 사용하는 것이 더욱 효과적 입니다. 현재 Si 기판과 Ge 층 사이에 Ge(SiC)층을 삽입하여 Si 기판 위에 Ge 층을 효과적으로 성장하는 방법을 독자적으로 연구 개발 하고 있습니다.
InSb 기반의 IR-Photodetector 연구
IR-photodetector 연구팀 에서는 고속응답, 작업 안정성, 대면적 초점 배열 등에 장점이 있는 InSb 소자를 연구를 하고 있습니다. 가벼운 질량으로 인하여 기판 내에 침투 깊이 조절이 용이하고 기판의 손상을 줄일 수 있는 Be 를 p-type 도펀트로 사용 하여 도핑 프로파일과 캐리어 이동도, p-n junction 에서 I-V 특성들을 확인하여, 최적화된 도핑 조건을 확립합니다. PN 이나 PIN 구조의 Photodiode 에 요구되는 도핑 컨트롤을 위해 Multiple Be implantation 을 진행하고 있습니다.
Si 기반의 반도체 연구
Si based semiconductor 연구팀 에서는 Si에 비하여 작은 밴드 갭과 높은 캐리어 이동도 그리고 근적외선 영역에서의 높은 흡수율을 갖는 Ge 를 이용하여 근적외선 광 검출기나, 도파관 등의 소자에 응용 하려는 연구가 진행 중입니다. 근적외선 광 검출기 분야에서 기존의 소자는 InGaAs 등을 이용한 화합물 반도체들이 주류를 이루고 있지만, 현재 반도체 시장에서 대부분을 차지하고 있는 Si 기반의 공정과의 양립성문제로 인하여 한계를 보이고 있어서 Ge 을 이용한 연구가 대두되고 있는 상황입니다.
