현대 지식 사회의 기반이 되는 논리소자, 메모리소자, 디스플레이 소자의 사상 유래가 없을 정도의 빠른 발전은 현대의 눈부신 정보화 사회를 가능하게 하였다. 그러나 소자의 재료와 구조가 물리적 한계에 이르면서 현재까지와 같은 빠른 속도의 발전을 계속 진행할 지에 대한 의문이 커지고 있다.
본 연구실에서는 이러한 전자소자의 발전을 위한 재료 및 구조 개선 연구 뿐만 아니라, 기존에 없던 새로운 재료와 구조를 갖는 소자 개발을 위한 연구를 진행하고 있다.
본 연구실에서는 이러한 전자소자의 발전을 위한 재료 및 구조 개선 연구 뿐만 아니라, 기존에 없던 새로운 재료와 구조를 갖는 소자 개발을 위한 연구를 진행하고 있다.
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1. 디스플레이 TFT Backplane 소자연구
초고해상도 TFT-LCD 및 AMOLED 디스플레이 구동소자인 IGZO 기반 산화물 박막 트랜지스터 소자의 설계, 고이동도 및 양산에 가장 중요한 전기적/광학적 신뢰성 연구를 진행하고 있다. -
2. IoT 센서 연구
III-V 및 II-VI 족 산화물, 황화물 및 질화물 기반의 고효율 광센서 및 바이오센서의 선택비와 감도를 향상시킬수 있는 재료 및 구조 설계 및 소자 제작에 대한 연구를 진행하고 있다. -
3. 전력소자 연구
차세대 전기 자동차 구현에 있어 가장 핵심적인 역할을 하는 SiC 및 GaN 기반 고전압, 고주파수 및 고온 전력 전자 연구 및 개발을 진행하고 있다. -
4. 차세대 메모리 소자
삼차원 적층형 ReRAM 메모리 소자의 Encoder 및 Decoder 주변 집적 회로 연구를 진행하고 있다. -
5. 투명 및 유연 전자소자 연구
가시광선에 투명하면서도 자유자재로 구부릴 수 있는 신개념의 트랜지스터 소자에 대한 연구 및 개발을 진행하고 있다.
국가
대한민국
소속기관
한양대학교 (학교)
연락처
02-2220-2327 http://sndlab.hanyang.ac.kr/
책임자
정재경 jkjeong1@hanyang.ac.kr