검토의견
2017-08-11
org.kosen.entty.User@4eb59854
박영환(yehapark)
이해하기 쉬운 문장으로 정성으로 작성해 주셔서 감사합니다.
어색하다고 느낀 문장 등에 대해 몇가지 의견을 드리니 부담 갖진 마시고, 최종본 작성에 참조해 주시기 바랍니다.
1. 개요
- 흑연(graphite)으로부터 기계적 박리법에 의한 2차원[two-dimension(2D)] 결정구조 물질인 그래핀(graphene)의 발견은 --> 흑연(graphite)을 기계적으로 박리하여 2차원[two-dimension(2D)] 결정구조 물질인 그래핀(graphene)을 발견한 것은
- 2D 반도체 물질(MoTe2) 소자 제작 과정에서 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용한 수소 도핑으로 P형으로부터 N형 소자로 트랜지스터의 특성을 --> 2D 반도체 물질(MoTe2)을 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용한 수소 도핑으로 P형으로부터 N형으로 변형하여 적용함으로써 트랜지스터의 소자의 특성을
- 증착으로 인한 2D 물질의 손실을 --> 증착으로 인한 2D 구조의 손상을
- 일반적으로 단일 ALD 공정 주기는 4단계로 구성되어 있는데, 그림 1은 임의의 기판 위에 원자층 단위로 박막을 형성하는 ALD 증착 원리를 나타낸다. --> 일반적으로 임의의 기판 위에 원자층 단위로 박막을 형성하는 단일 ALD 공정은 그림 1과 같이 4단계의 주기로 구성되어 있다.
- 그림 1(b)는 전구체A가 더 이상 반응하지 않은 상태에서 불활성기체를 사용하여 여분의 전구체 A를 챔버 외부로 제거하는 것을 나타낸다. --> 그림 1(b)는 불활성기체를 사용하여 더 이상 반응하지 않은 여분의 전구체 A를 챔버 외부로 제거하는 것을 나타낸다.
- 그림 1(a)~(d)의 과정은 단일 주기로, 이러한 주기를 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있게 된다 --> 그림 1(a)~(d)의 주기를 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있다
어색하다고 느낀 문장 등에 대해 몇가지 의견을 드리니 부담 갖진 마시고, 최종본 작성에 참조해 주시기 바랍니다.
1. 개요
- 흑연(graphite)으로부터 기계적 박리법에 의한 2차원[two-dimension(2D)] 결정구조 물질인 그래핀(graphene)의 발견은 --> 흑연(graphite)을 기계적으로 박리하여 2차원[two-dimension(2D)] 결정구조 물질인 그래핀(graphene)을 발견한 것은
- 2D 반도체 물질(MoTe2) 소자 제작 과정에서 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용한 수소 도핑으로 P형으로부터 N형 소자로 트랜지스터의 특성을 --> 2D 반도체 물질(MoTe2)을 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용한 수소 도핑으로 P형으로부터 N형으로 변형하여 적용함으로써 트랜지스터의 소자의 특성을
- 증착으로 인한 2D 물질의 손실을 --> 증착으로 인한 2D 구조의 손상을
- 일반적으로 단일 ALD 공정 주기는 4단계로 구성되어 있는데, 그림 1은 임의의 기판 위에 원자층 단위로 박막을 형성하는 ALD 증착 원리를 나타낸다. --> 일반적으로 임의의 기판 위에 원자층 단위로 박막을 형성하는 단일 ALD 공정은 그림 1과 같이 4단계의 주기로 구성되어 있다.
- 그림 1(b)는 전구체A가 더 이상 반응하지 않은 상태에서 불활성기체를 사용하여 여분의 전구체 A를 챔버 외부로 제거하는 것을 나타낸다. --> 그림 1(b)는 불활성기체를 사용하여 더 이상 반응하지 않은 여분의 전구체 A를 챔버 외부로 제거하는 것을 나타낸다.
- 그림 1(a)~(d)의 과정은 단일 주기로, 이러한 주기를 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있게 된다 --> 그림 1(a)~(d)의 주기를 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있다