검토의견(최종)
2017-08-11
org.kosen.entty.User@4f14bace
박영환(yehapark)
윗글을 수정하고 나서 보니 수정을 완성하는 '확인' 버튼이 없어 따로 올립니다.
이해하기 쉬운 문장으로 정성으로 작성해 주셔서 감사합니다.
어색하다고 느낀 문장 등에 대해 몇가지 의견을 드리니 부담 갖진 마시고, 최종본 작성에 참조해 주시기 바랍니다.
1. 개요
- 흑연(graphite)으로부터 기계적 박리법에 의한 2차원[two-dimension(2D)] 결정구조 물질인 그래핀(graphene)의 발견은 --> 흑연(graphite)을 기계적으로 박리하여 2차원[two-dimension(2D)] 결정구조 물질인 그래핀(graphene)을 발견한 것은
- 2D 반도체 물질(MoTe2) 소자 제작 과정에서 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용한 수소 도핑으로 P형으로부터 N형 소자로 트랜지스터의 특성을 --> 2D 반도체 물질(MoTe2)을 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용한 수소 도핑으로 P형으로부터 N형으로 변형하여 적용함으로써 트랜지스터의 소자의 특성을
- 증착으로 인한 2D 물질의 손실을 --> 증착으로 인한 2D 구조의 손상을
- 일반적으로 단일 ALD 공정 주기는 4단계로 구성되어 있는데, 그림 1은 임의의 기판 위에 원자층 단위로 박막을 형성하는 ALD 증착 원리를 나타낸다. --> 일반적으로 임의의 기판 위에 원자층 단위로 박막을 형성하는 단일 ALD 공정은 그림 1과 같이 4단계의 주기로 구성되어 있다.
- 그림 1(b)는 전구체A가 더 이상 반응하지 않은 상태에서 불활성기체를 사용하여 여분의 전구체 A를 챔버 외부로 제거하는 것을 나타낸다. --> 그림 1(b)는 불활성기체를 사용하여 더 이상 반응하지 않은 여분의 전구체 A를 챔버 외부로 제거하는 것을 나타낸다.
- 그림 1(a)~(d)의 과정은 단일 주기로, 이러한 주기를 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있게 된다 --> 그림 1(a)~(d)의 주기를 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있다
- 파티클 오염을 (무슨 의미인지?)
- ALD 공정 조건은 온순한 편이기 때문에 --> ALD 공정 조건은 온화한 편이기 때문에
2. 흑연 대상 ALD --> 흑연 기재 상의 ALD
- 절연층과 유전층으로 반드시 필요한 물질이며 --> 절연층과 유전층으로서 반드시 필요한 물질이며
- 그래핀 표면 성질의 수정에 대한 연구는 --> 그래피핀 표면의 개질에 대한 연구는 (이하 '표면성징을 수정' 등의 유사한 문구에도 적용)
- nucle-ation sites : 하이픈 제거
- 전구체와 상대반응물, 즉 두 종류 화합물의 --> 전구체와 상대반응물 두 종류 화합물의
- 에폭시드(epoxide), 카르보닐(carbonyl), 카르복실기(carboxylic groups) --> 에폭사이드(epoxide), 카보닐(carbonyl), 카복시 그룹(carboxylic groups)
3. 그래핀
- 전자빔 감광제(resist)로 사용되었으며, ALD 결정핵 생성층으로도 이용되었다. --> 전자빔 감광제(resist)로 사용하고, 잔류한 HQS 층은 ALD 결정핵 생성층으로도 이용하는 등 복합적인 목적으로 적용된다.
- 3,4,9,10-페릴렌 테트라카르복실릭 디안하이드라이드 : 영어 표기만 사용해도 좋을 듯 싶네요 (이하 '페릴린 비스이미드' 등 동일)
- 이러한 불일치는 --> 이러한 차이는
- 결정핵 생성 비율(nucleation rate) --> 결정핵 생성 속도(nucleation rate)
- 그래핀을 덮고 있는 Al2O3 박막의 결정핵 생성 밀도는 금속 기판에 의해 지지를 받고 있는 그래핀에서 현저히 증가하는 것으로 나타났다. --> 그래핀을 덮고 있는 Al2O3 박막의 결정핵 생성 밀도는 금속 기판을 기재로 사용한 그래핀에서 현저히 증가하는 것으로 나타났다.
- 이는 그래핀과 금속 기판 사이의 전하 전달과 그래핀 시트의 주름으로 인한 영향이 결합된 극성 위치(polar sites)의 형성 때문인 것으로 분석되었다. : 맞는 내용인지요? 원문에서는 단순히 얇은 그래핀 박막을 통해 금속이 영향을 준다는 논리입니다.
- 환원된 그래핀 옥사이드 --> 환원된 산화그래핀
4. TMD
- 금속성이나 반금속성을 띠는 그래핀을 대상으로 연구를 진행할 것이 아니라 반도체 2D 물질(semiconducting 2D materials)을 대상으로 유전체 물질의 ALD 증착에 대한 연구가 진행되어야 한다. --> 금속성이나 반금속성을 띠는 그래핀보다는 반도체성 2D 물질(semiconducting 2D materials)을 대상으로 유전체 물질의 ALD 증착에 대한 연구를 진행하는 것이 더 바람직하다.
- 이들 2D 물질의 단일층은 그래핀의 경우와 마찬가지로 기계적 박리법을 이용하여 벌크로부터 얻을 수 있다. --> 이들 2D 물질의 단일층은 그래핀의 경우와 마찬가지로 벌크로부터 기계적으로 박리하여 얻을 수 있다.
- 흡착됨으로 인해 --> 흡착됨으로써
- 다중겹 --> 다중층
- 티타닐 프타로시아닌[titanyl (TiO) hthalocyanine(C32H18N8)(TiOPc)]을 영어만 사용, 철자 p 빠짐
5.
- 포스포린 기반 소자에 게이트 유전물질을 형성하는 것과 포스포린 재료 위 보호막을 형성하고자 하는 것이다. --> 포스포린 기반 소자에 게이트 유전물질을 형성함과 동시에 포스포린 재료 위 보호막을 형성하고자 하는 것이다.
- ALD Al2O3를 포스포린 위에 보호막으로, 게이트 유전물질로 포스포린 아래에도 증착함으로써 --> ALD Al2O3를 포스포린의 위에는 보호막으로, 아래에는 게이트 유전물질로 증착함으로써
수고하셨습니다.
이해하기 쉬운 문장으로 정성으로 작성해 주셔서 감사합니다.
어색하다고 느낀 문장 등에 대해 몇가지 의견을 드리니 부담 갖진 마시고, 최종본 작성에 참조해 주시기 바랍니다.
1. 개요
- 흑연(graphite)으로부터 기계적 박리법에 의한 2차원[two-dimension(2D)] 결정구조 물질인 그래핀(graphene)의 발견은 --> 흑연(graphite)을 기계적으로 박리하여 2차원[two-dimension(2D)] 결정구조 물질인 그래핀(graphene)을 발견한 것은
- 2D 반도체 물질(MoTe2) 소자 제작 과정에서 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용한 수소 도핑으로 P형으로부터 N형 소자로 트랜지스터의 특성을 --> 2D 반도체 물질(MoTe2)을 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용한 수소 도핑으로 P형으로부터 N형으로 변형하여 적용함으로써 트랜지스터의 소자의 특성을
- 증착으로 인한 2D 물질의 손실을 --> 증착으로 인한 2D 구조의 손상을
- 일반적으로 단일 ALD 공정 주기는 4단계로 구성되어 있는데, 그림 1은 임의의 기판 위에 원자층 단위로 박막을 형성하는 ALD 증착 원리를 나타낸다. --> 일반적으로 임의의 기판 위에 원자층 단위로 박막을 형성하는 단일 ALD 공정은 그림 1과 같이 4단계의 주기로 구성되어 있다.
- 그림 1(b)는 전구체A가 더 이상 반응하지 않은 상태에서 불활성기체를 사용하여 여분의 전구체 A를 챔버 외부로 제거하는 것을 나타낸다. --> 그림 1(b)는 불활성기체를 사용하여 더 이상 반응하지 않은 여분의 전구체 A를 챔버 외부로 제거하는 것을 나타낸다.
- 그림 1(a)~(d)의 과정은 단일 주기로, 이러한 주기를 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있게 된다 --> 그림 1(a)~(d)의 주기를 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있다
- 파티클 오염을 (무슨 의미인지?)
- ALD 공정 조건은 온순한 편이기 때문에 --> ALD 공정 조건은 온화한 편이기 때문에
2. 흑연 대상 ALD --> 흑연 기재 상의 ALD
- 절연층과 유전층으로 반드시 필요한 물질이며 --> 절연층과 유전층으로서 반드시 필요한 물질이며
- 그래핀 표면 성질의 수정에 대한 연구는 --> 그래피핀 표면의 개질에 대한 연구는 (이하 '표면성징을 수정' 등의 유사한 문구에도 적용)
- nucle-ation sites : 하이픈 제거
- 전구체와 상대반응물, 즉 두 종류 화합물의 --> 전구체와 상대반응물 두 종류 화합물의
- 에폭시드(epoxide), 카르보닐(carbonyl), 카르복실기(carboxylic groups) --> 에폭사이드(epoxide), 카보닐(carbonyl), 카복시 그룹(carboxylic groups)
3. 그래핀
- 전자빔 감광제(resist)로 사용되었으며, ALD 결정핵 생성층으로도 이용되었다. --> 전자빔 감광제(resist)로 사용하고, 잔류한 HQS 층은 ALD 결정핵 생성층으로도 이용하는 등 복합적인 목적으로 적용된다.
- 3,4,9,10-페릴렌 테트라카르복실릭 디안하이드라이드 : 영어 표기만 사용해도 좋을 듯 싶네요 (이하 '페릴린 비스이미드' 등 동일)
- 이러한 불일치는 --> 이러한 차이는
- 결정핵 생성 비율(nucleation rate) --> 결정핵 생성 속도(nucleation rate)
- 그래핀을 덮고 있는 Al2O3 박막의 결정핵 생성 밀도는 금속 기판에 의해 지지를 받고 있는 그래핀에서 현저히 증가하는 것으로 나타났다. --> 그래핀을 덮고 있는 Al2O3 박막의 결정핵 생성 밀도는 금속 기판을 기재로 사용한 그래핀에서 현저히 증가하는 것으로 나타났다.
- 이는 그래핀과 금속 기판 사이의 전하 전달과 그래핀 시트의 주름으로 인한 영향이 결합된 극성 위치(polar sites)의 형성 때문인 것으로 분석되었다. : 맞는 내용인지요? 원문에서는 단순히 얇은 그래핀 박막을 통해 금속이 영향을 준다는 논리입니다.
- 환원된 그래핀 옥사이드 --> 환원된 산화그래핀
4. TMD
- 금속성이나 반금속성을 띠는 그래핀을 대상으로 연구를 진행할 것이 아니라 반도체 2D 물질(semiconducting 2D materials)을 대상으로 유전체 물질의 ALD 증착에 대한 연구가 진행되어야 한다. --> 금속성이나 반금속성을 띠는 그래핀보다는 반도체성 2D 물질(semiconducting 2D materials)을 대상으로 유전체 물질의 ALD 증착에 대한 연구를 진행하는 것이 더 바람직하다.
- 이들 2D 물질의 단일층은 그래핀의 경우와 마찬가지로 기계적 박리법을 이용하여 벌크로부터 얻을 수 있다. --> 이들 2D 물질의 단일층은 그래핀의 경우와 마찬가지로 벌크로부터 기계적으로 박리하여 얻을 수 있다.
- 흡착됨으로 인해 --> 흡착됨으로써
- 다중겹 --> 다중층
- 티타닐 프타로시아닌[titanyl (TiO) hthalocyanine(C32H18N8)(TiOPc)]을 영어만 사용, 철자 p 빠짐
5.
- 포스포린 기반 소자에 게이트 유전물질을 형성하는 것과 포스포린 재료 위 보호막을 형성하고자 하는 것이다. --> 포스포린 기반 소자에 게이트 유전물질을 형성함과 동시에 포스포린 재료 위 보호막을 형성하고자 하는 것이다.
- ALD Al2O3를 포스포린 위에 보호막으로, 게이트 유전물질로 포스포린 아래에도 증착함으로써 --> ALD Al2O3를 포스포린의 위에는 보호막으로, 아래에는 게이트 유전물질로 증착함으로써
수고하셨습니다.