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동향

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실리콘-화합물 융합 반도체 소자 기술동향

2018-01-04 org.kosen.entty.User@73d43078 이명교(reports)

분야

전기/전자

발행기관

이상흥, 장성재, 임종원, 백용순

URL

http://

첨부파일

본고에서는 실리콘 기판상에서 고전하 이동도의 화합물반도체를 사용하여 실리콘 소자의 한계를 극복하는 연구 동향과 실리콘 기판상에서 전자소자와 광소자의 융합 연구 동향에 대하여 살펴보았다. 실리콘 기판상에 고전하 이동도의 화합물반도체를 사용하여 실리콘 전자 소자의 성능을 능가함과 동시에 다양한 기능을 할 수 있는 전자 소자를 개발하는 방향으로 연구가 진행되고 있다. 뿐만 아니라 실리콘 기판 전자소자와 광소자 융합은 크게 실리콘 기판상에 CMOS 전자소자와 인듐갈륨비소(InGaAs) 계열의 광소자 집적, 실리콘 기판을 이용한 게르마늄 CMOS 전자소자와 게르마늄 광소자 집적의 연구가 활발하며, 전자소자와 광소자 웨이퍼나 칩의 본딩을 통한 TSV나 TOV 연구가 활발하다.

출처 - 한국전자통신연구원
이명교

이명교(reports)

한국과학기술정보연구원

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