지식나눔

표면저항

1GHz 에서 skin depth의 2배 두께로 동을 도금하고 그 위에 skin depth 두께 만큼의 은을 도금하였을 경우, 각 층에서의 표면 저항을 어떻게 구할 수 있을까요? 고수분들의 도움을 바랍니다.
  • skin depth
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변! 
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 1
  • 답변

    이성재님의 답변

    고주파수의 교류전류를 물체의 표면 한점에 수직으로 인가하고 직선상의 다른점을 그라운드로 지정하여 두지점안에서의 교류 전압차를 측정하면, V(ac)=I(applied ac current)*R(resistance), 식으로부터 저항을 구할 수 있읍니다. 이방법은 Four point ACPD 방법이라고 합니다. 동의 전도도는 알려져 있으므로 주파수를 높여 표면침투길이가 은으로 도금한 길이 보다 작으면 ACPD 데이터로 은의 저항만이 측정될 것이며 주파수를 낮추면 침투길이가 길어져 동까지 침투하여 ACPD 값이 은과 동 모두를 포함할 수 있으므로 이때는 유한요소방법을 사용하여 Two-layer 모델로 부터 각각의 성분을 유추할 수 있을 것입니다. > >1GHz 에서 skin depth의 2배 두께로 동을 도금하고 그 위에 > >skin depth 두께 만큼의 은을 도금하였을 경우, > >각 층에서의 표면 저항을 어떻게 구할 수 있을까요? > >고수분들의 도움을 바랍니다.
    고주파수의 교류전류를 물체의 표면 한점에 수직으로 인가하고 직선상의 다른점을 그라운드로 지정하여 두지점안에서의 교류 전압차를 측정하면, V(ac)=I(applied ac current)*R(resistance), 식으로부터 저항을 구할 수 있읍니다. 이방법은 Four point ACPD 방법이라고 합니다. 동의 전도도는 알려져 있으므로 주파수를 높여 표면침투길이가 은으로 도금한 길이 보다 작으면 ACPD 데이터로 은의 저항만이 측정될 것이며 주파수를 낮추면 침투길이가 길어져 동까지 침투하여 ACPD 값이 은과 동 모두를 포함할 수 있으므로 이때는 유한요소방법을 사용하여 Two-layer 모델로 부터 각각의 성분을 유추할 수 있을 것입니다. > >1GHz 에서 skin depth의 2배 두께로 동을 도금하고 그 위에 > >skin depth 두께 만큼의 은을 도금하였을 경우, > >각 층에서의 표면 저항을 어떻게 구할 수 있을까요? > >고수분들의 도움을 바랍니다.
    등록된 댓글이 없습니다.