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지식나눔

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박막트랜지스터(a-Si TFT나 p-Si TFT)에 외부에 물리적인 압력(pressure)을 주었을때 특성변화?

2005-05-16 org.kosen.entty.User@1c081d8c 류명관(mkryumk)
  • 1
TFT나 MOSFET같은 소자를 외부에서 어떤 힘으로 누르고 있을때 소자특성이 차이가 날 수 있는지에대해 궁금합니다. 또 그것과 관련된 자료가 있으면 부탁드립니다. 잘모르겠지만, 압전소자, 압력센서 뭐 이런것들이 있는것을 보면, 압력과 소자특성과 연관이 되는듯하기도하고... 실제로 제가 궁금한건, p-Si TFT와 a-Si TFT가 압력에 대해 서로 얼마나 취약한지 비교해보는게 목적입니다. 좋은하루되세요~
  • TFT
  • device
  • pressure
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답변 1
  • 답변

    박장식님의 답변

    2005-05-23
    • 0
    >TFT나 MOSFET같은 소자를 외부에서 어떤 힘으로 누르고 있을때 >소자특성이 차이가 날 수 있는지에대해 궁금합니다. >또 그것과 관련된 자료가 있으면 부탁드립니다. > >잘모르겠지만, 압전소자, 압력센서 뭐 이런것들이 있는것을 보면, 압력과 >소자특성과 연관이 되는듯하기도하고... > >실제로 제가 궁금한건, > >p-Si TFT와 a-Si TFT가 압력에 대해 서로 얼마나 취약한지 비교해보는게 목적입니다. > >좋은하루되세요~ 디바이스 상부에 passivation 층이 있어서 물리적인 영향에 대해서는 내성이 있는 것으로 생각합니다. 기체의 이상방정식 P V = n R T 을 고려하면 압력을 높이면 온도가 상승할 것이며 이것이 소자에 미치는 것으로 고려할 필요가 있습니다. 불순물이 주입되었을 때, 온도상승과 함께 캐리어의 운동에너지가 증가하므로 산란이 감소하고 이동도가 증가하게 되는 데 이동도는 단순한 식, T 3/2 Ni(여기서 T :온도, Ni :불순물 밀도) 에 비례하는 식을 적용하면 결국 온도의 3/2승에 비례하며, Ni 에 비례해서 아몰퍼스 및 폴리 상태에 큰 의존성이 없음으로 디스바이스 특성에는 차가 없는 것으로 생각됩니다.
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    >TFT나 MOSFET같은 소자를 외부에서 어떤 힘으로 누르고 있을때 >소자특성이 차이가 날 수 있는지에대해 궁금합니다. >또 그것과 관련된 자료가 있으면 부탁드립니다. > >잘모르겠지만, 압전소자, 압력센서 뭐 이런것들이 있는것을 보면, 압력과 >소자특성과 연관이 되는듯하기도하고... > >실제로 제가 궁금한건, > >p-Si TFT와 a-Si TFT가 압력에 대해 서로 얼마나 취약한지 비교해보는게 목적입니다. > >좋은하루되세요~ 디바이스 상부에 passivation 층이 있어서 물리적인 영향에 대해서는 내성이 있는 것으로 생각합니다. 기체의 이상방정식 P V = n R T 을 고려하면 압력을 높이면 온도가 상승할 것이며 이것이 소자에 미치는 것으로 고려할 필요가 있습니다. 불순물이 주입되었을 때, 온도상승과 함께 캐리어의 운동에너지가 증가하므로 산란이 감소하고 이동도가 증가하게 되는 데 이동도는 단순한 식, T 3/2 Ni(여기서 T :온도, Ni :불순물 밀도) 에 비례하는 식을 적용하면 결국 온도의 3/2승에 비례하며, Ni 에 비례해서 아몰퍼스 및 폴리 상태에 큰 의존성이 없음으로 디스바이스 특성에는 차가 없는 것으로 생각됩니다.
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