2005-06-19
org.kosen.entty.User@12abc519
구남일(knicyl)
- 1
제가 나노임프린팅 레지스트중 하나를 RIE을 통해 (O2 가스) 제거를 하는데 다른 모든 조건은 같은데 DC 전압에 따라 Etching rate의 변화가 있습니다. 이 변화가 신기하게도 DC 가 낮을때 Etching rate가 높다는 것입니다. 일반적으로는 DC 가 높으면 Etching rate가 높다고 알고 있는데.. 무슨 이유로 이런 현상이 일어날까요? 반복해서 해보았으나 같은 결론을 내렸습니다. 다른 조건은 같습니다.
또 한가지, 에칭을 한 후 Quality는 특정 Resin 에서 각각의 사용되는 가스종류에 따라서 달라지거든요. 표면의 거칠기를 한 예로 들면..
이 현상을 화학적 물리적으로 설명하려면 어떻게 할 수 있을까요?
A라는 물질이 있는데 에칭 후 표면의 거칠기를 보면,X, Y Z 라는 물질을 사용하여 에칭한 경우
X>Y>Z 로 거칠기가 달라졌다.. X로 에칭한 표면을 아주 거칠었으며 Z로 에칭한 경우는 거칠기가 낮았다.
답변 부탁드립니다.
- RIE
- Etching quality
- 에칭
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 1
-
답변
youyoungsun님의 답변
2005-06-20- 0
Dry 에칭 및 ？？ 에칭은 일반적으로 에칭을 하면 에칭 잔류물이 발생합니다. 이 에칭 잔류물(Residue)을 제거 하는 방법은 Dry에칭은 펌핑에 의해서 지속적으로 Vaccumm을 유지시켜줌으로 해서 제거해주며 Wet 에칭은 Liquid 나 중력에 의해 제거 됩니다. 귀하께서 주신 정보로만 판단해보면 패턴을 에칭하면서 Residue가 빠져 나가는 시간과 에치 rate 간에 Trade-off가 있습니다. 적절한 Etch Rate 가 요구되며 제 생각에는 RIE 방식이나 ICP 방식을 이용하시면 Etch Rate은 확보할 수 있을 것으로 생각됩니다. > 제가 나노임프린팅 레지스트중 하나를 RIE을 통해 (O2 가스) 제거를 하는데 다른 모든 조건은 같은데 DC 전압에 따라 Etching rate의 변화가 있습니다. 이 변화가 신기하게도 DC 가 낮을때 Etching rate가 높다는 것입니다. 일반적으로는 DC 가 높으면 Etching rate가 높다고 알고 있는데.. 무슨 이유로 이런 현상이 일어날까요? 반복해서 해보았으나 같은 결론을 내렸습니다. 다른 조건은 같습니다. > > 또 한가지, 에칭을 한 후 Quality는 특정 Resin 에서 각각의 사용되는 가스종류에 따라서 달라지거든요. 표면의 거칠기를 한 예로 들면.. > 이 현상을 화학적 물리적으로 설명하려면 어떻게 할 수 있을까요? > > A라는 물질이 있는데 에칭 후 표면의 거칠기를 보면,X, Y Z 라는 물질을 사용하여 에칭한 경우 > > X>Y>Z 로 거칠기가 달라졌다.. X로 에칭한 표면을 아주 거칠었으며 Z로 에칭한 경우는 거칠기가 낮았다. > >답변 부탁드립니다. > > >