KOSEN 한인과학기술자네트워크

닫기

더 많은 혜택을 위해
로그인 하세요.

지식나눔

지식나눔

RIE와 DRIE의 Aspect ratio에 따른 사용방법에 대해서

2007-09-21 org.kosen.entty.User@51a66d42 신성용(caryangel)
  • 1
지금 실리콘을 에칭하고자 합니다. 그런데 RIE와 DRIE 중에서 Aspect ratio에 따라서 어느 하나를 골라야 하는데 지금 Aspect ratio 는 40정도 입니다. 어떤것을 고르는게 좋을지 답해주세요. 그리고 왜 그런지도 말씀좀 해주세요
  • RIE
  • DRIE
  • Aspect ratio
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변! 
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변하기
답변 1
  • 답변

    이대식님의 답변

    2007-10-31
    • 0
    >지금 실리콘을 에칭하고자 합니다. > >그런데 RIE와 DRIE 중에서 Aspect ratio에 따라서 어느 하나를 골라야 하는데 > >지금 Aspect ratio 는 40정도 입니다. > >어떤것을 고르는게 좋을지 답해주세요. 그리고 왜 그런지도 말씀좀 해주세요 Aspect ratio가 40 이면, 둘 다 어려울 것같은데, Deep RIE 공정을 하여야 가능성이 높습니다. DRIE 장비가 최근에는 많이 보급되어서, 쉽게 사용하실 수 있습니다. STS사 장비가 괜찮은 것같습니다. 공정 원리를 보면, 반응성 이온을 사용하는 것에서는 동일하지만, Deep RIE 공정에서는 Bosch process(sequential etch/polymer deposition)라는 공정을 도입하여 고밀도 ICP라는 고밀도 플라즈마 소스를 사용하여 식각률과 면율을 높인 걸로 알려져 있습니다. 패턴 폭이 얼마인지 알 수 없지만, 참고로 통상알려진 최대 aspect ratio는 30:1 정도입니다.
    답변수정
    >지금 실리콘을 에칭하고자 합니다. > >그런데 RIE와 DRIE 중에서 Aspect ratio에 따라서 어느 하나를 골라야 하는데 > >지금 Aspect ratio 는 40정도 입니다. > >어떤것을 고르는게 좋을지 답해주세요. 그리고 왜 그런지도 말씀좀 해주세요 Aspect ratio가 40 이면, 둘 다 어려울 것같은데, Deep RIE 공정을 하여야 가능성이 높습니다. DRIE 장비가 최근에는 많이 보급되어서, 쉽게 사용하실 수 있습니다. STS사 장비가 괜찮은 것같습니다. 공정 원리를 보면, 반응성 이온을 사용하는 것에서는 동일하지만, Deep RIE 공정에서는 Bosch process(sequential etch/polymer deposition)라는 공정을 도입하여 고밀도 ICP라는 고밀도 플라즈마 소스를 사용하여 식각률과 면율을 높인 걸로 알려져 있습니다. 패턴 폭이 얼마인지 알 수 없지만, 참고로 통상알려진 최대 aspect ratio는 30:1 정도입니다.
    등록된 댓글이 없습니다.
목록
목록