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지식나눔

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결정 Si 혹은 a-Si 내 defect 관련 질문입니다.

2007-11-02 org.kosen.entty.User@33f19971 권혁순(max7865)
  • 1
교과서와 같은 교재를 보면 Si band structure의 forbidden energy gap을 보면 acceptor like site 혹은 donor like site라고 불리우는energy level이 존재하더라구요.. 이런 것들은 모두 defect들로서 Si 내 구조적 결함으로 인해 발생된거 라고 생각되는데 어떤 결함들이 앞서 말씀드렸던 site를 만드는 것인가요??? 또한 구조적 결함이 어떠한 차이가 있는 것인가요?? 단지 교과서에는 fermi level을 기준으로 구분만 해놨더라구요.... 답변부탁드립니다..
  • trap site
  • acceptor like trap site
  • donor like trap site
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답변 1
  • 답변

    안길홍님의 답변

    2007-11-02
    • 0

    첨부파일

    반도체를 만들다보면 부정합결합이 이루어 지는 경우가 많습니다. 특히 amorphous type에는 이러한 부정합결합(dangling bond)을 이루게 됩니다.즉,원자결합의손(hand)이 끊어져서 에너지의 흐름이 불연속성을 가진다는 것입니다.이는 a-Si 내부에서 뿐만이 아니라 표면에서도 일어납니다. 이로인하여 마치 donor 같이,acceptor같이 작용한다는 것입니다. 이에 관하여 자료를 file로 첨부하였으며,이러한 결함을 check하는 기법은 ESR(또는 EPR) technics.를 적용합니다.
    답변수정
    반도체를 만들다보면 부정합결합이 이루어 지는 경우가 많습니다. 특히 amorphous type에는 이러한 부정합결합(dangling bond)을 이루게 됩니다.즉,원자결합의손(hand)이 끊어져서 에너지의 흐름이 불연속성을 가진다는 것입니다.이는 a-Si 내부에서 뿐만이 아니라 표면에서도 일어납니다. 이로인하여 마치 donor 같이,acceptor같이 작용한다는 것입니다. 이에 관하여 자료를 file로 첨부하였으며,이러한 결함을 check하는 기법은 ESR(또는 EPR) technics.를 적용합니다.
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