2007-11-08
org.kosen.entty.User@5c5c9967
권혁순(max7865)
- 3
제목 그래도 비정질 실리콘, poly Si, 단결정 Si의 workfunction은 각각 어떤가요??
만약 차이가 있다면 그 차이의 원인은 뭔가요???
- workfunction
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 3
-
답변
안길홍님의 답변
2007-11-08- 0
Silicon에 대하여 첨부file로 기본사항에 대하여 정리하였으므로 참고바랍니다. 그리고 위의site에 접속하시면 반도체용 silicon chip제작에 관한 공정을 동영상으로 볼수 있으므로 참조하시기 바랍니다. -
답변
김기범님의 답변
2007-11-11- 0
Si의 workfunction은 그 결정학적 상태에 의해 변하기보다는 불순물 농도에 의해 더 크게 좌우되지 않을까요. 표면의 그레인 바운더리 숫자에 따라서 그 차이를 따지는 것은 의미 없다고 봅니다. Work function의 정의를 Evac(vacuum level)로부터 Ef(Fermi level)까지의 차라고 정의하는 경우, Ef의 위치는 불순물(도판트)의 양에 의해 의해 변화하지 않습니까? 질문에 대한 답이 아니라 죄송합니다. >제목 그래도 비정질 실리콘, poly Si, 단결정 Si의 workfunction은 각각 어떤가요?? >만약 차이가 있다면 그 차이의 원인은 뭔가요??? -
답변
안길홍님의 답변
2007-11-12- 0
여러가지의 기본식에 의하여 설명드리는 것은 생략하겠습니다. 간단히 말씁드립니다. dopant양에 따라 전도율의 차이는 있습니다.또한 고체물질의 원자밀도는 10 x(23승개)/cm³로써 dopant가 무한정 들어갈 수 없습니다. 그리고 Fermi준위는 OK 에서의 전도대와 가전자대의 중간 level로 정의 되어 있어서(이러한 기준이 수시로 바뀌면 혼란이 초래됩니다) dopant의 량이 많고 적고에 따라 fermi준위가 변경되어서는 안됩니다. 즉,dopant량에 따라 전기전도도는 차이는 있게되나 Fermi준위는 불변입니다. 참고자료로 site를 보아주시기 바랍니다.