2007-12-26
org.kosen.entty.User@39111bfd
하정민(nextan)
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wafer를 KOH를 이용하여 wet etching으로 제거 하고 있습니다.
MEMS 공정을 적용하고 있어 구조물을 형성한뒤 최종적으로 wafer를 제거합니다.
KOH로 제거를 하고 나니 구조물 표면이 상당히 지져분해 지고 있는데
이것이 KOH에 의한 유기물 같은 오염인지 알고 싶습니다.
(KOH에서 etch을 하면 유기물 오염은 없다고 하는 분도 있던데..)
관련 자료를 찾아 볼려고 해도 딱히 찾지를 못하고 있어서 고생하고 있습니다.
이것이 KOH에 의한 유기물 오염인지..
아닌 KOH에 의한 다른 2차 반응인지..
그것두 아님 다른것에 의한 오염인지 알고 싶습니다.
도움을 주시면 고맙겠습니다.
- KOH
- etch
- organic contamination
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
강찬민님의 답변
2009-01-23- 0
KOH 자체가 (제가 직접해보았습니다. ^^) 유기물은 녹아버립니다. 녹는다는 표현이 적절할지는 모르겠지만 아무튼 유기물에 의한 오염은 식각중(KOH에 담겨있는중)에는 반응이 안일어납니다. 물론 이런경우를 생각해보아야 하겠네요 식각되어진 부산물들이 KOH 안에 떠다니거나 가라안거나 하겠죠 물론 KOH 식각을 하셧다면 60~80 도의 온도로 히팅을 해주셧을 터이고 마그네틱으로 stirring 을 해주셧을 거라 생각합니다. << 이런 가정하에 말씀드리겠습니다. KOH 안에 식각되어진 부산물 및 일부 용해되어버린 유기물들이 dangling 본드 형태로 표면에 자리잡고 있을 가능성은 충분히 있습니다. 그래서 KOH 를사용하여 식각을 한후 황산으로 클리닝을 해주는 경우도 많구요. 우선 유기물일지 표면에서의 화학적인 반응으로 인해 Si 기판 surface에서의 반응이 일어나 생긴 Si-X 형태의 물질일지 부터 판단하시는게 좋을듯하네요 ..... 우선은...황산으로 클리닝을 해주신후 충분한 시간으로 dry를 해주시고 나서 생각하시는것도 좋을듯합니다. 또한 Si 3D 구조에서 다층 멀티레이어 사이에 어떤 다른물질이 없다면 황산으로 클리닝해보시는게 도움이 될듯하네요. 질문하신것에 대한 답을 간단히 해드리자면... KOH에의한 유기물의 오염은 없습니다. 시중에서 파는 KOH를 사용하셧다면 유기물에 대한 오염 걱정은 안하셔도 될듯하네요...또한 KOH에 의한 2차 반응에 대해선 KOH와 Si 와의 2차반응은 일어나지 않습니다. 말그대로 KOH는 Si 와 반응하여 Si 를 식각해내는 물질이지 Si 와 반응하여 그대로 존재할것이라면 식각의 용도로 사용하지 않겠지요. 그리고 이에 따른 참고문헌을 말씀드리면 hiroshi tanaka "wet etching" 이라는 리뷰페이퍼가 있네요 리뷰페이퍼라 보시는데 도움이 많이 되실듯합니다. 2008년도 논문이구요 그럼 좋은 결과 있길 바랍니다. ^^ 화이팅 열심히 실험하시는 모습이 아름다운 공학인 >wafer를 KOH를 이용하여 wet etching으로 제거 하고 있습니다.>>MEMS 공정을 적용하고 있어 구조물을 형성한뒤 최종적으로 wafer를 제거합니다.>>KOH로 제거를 하고 나니 구조물 표면이 상당히 지져분해 지고 있는데>>이것이 KOH에 의한 유기물 같은 오염인지 알고 싶습니다.>>(KOH에서 etch을 하면 유기물 오염은 없다고 하는 분도 있던데..)>>관련 자료를 찾아 볼려고 해도 딱히 찾지를 못하고 있어서 고생하고 있습니다.>>이것이 KOH에 의한 유기물 오염인지..>>아닌 KOH에 의한 다른 2차 반응인지..>>그것두 아님 다른것에 의한 오염인지 알고 싶습니다.>>>도움을 주시면 고맙겠습니다.