2008-11-22
org.kosen.entty.User@2ed66be1
남문성(ebonest)
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Diffusing phosphorus into the wafer backside is another technique used for external gettering. P diffusion into silicon result in phosphorus vacancies or dislocations that serve as trapping sites for impurity atoms, such as gold. (Another effect of P diffusion is the creation of Si-P precipitates, which have been shown to be capable of removing Ni impurities through interactions between Si self-interstitials and Ni atoms, nucleating NiSi2 particles in the process)
another effect 부터 잘 이해가 되질 않습니다. 자세한 설명 부탁드립니다.
그리고 gettering에 관한 자료가 있으시면 부탁드립니다.
- 반도체
- gettering
- extrinsic
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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