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지식나눔

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Metal thin film에서 metal interface의 oxidation

2009-01-21 org.kosen.entty.User@6aaf2a4 박익현(ihpark7876)
  • 2
안녕하세요.. metal stack구조에서 oxygen plasma를 사용할 경우 metal과 metal interface 전체에 oxidation이 될 가능성이 얼마나 높은가요? (약 50nm square 모양의 interface전체에 oxidation 현상이 있네요..ㅡ.ㅡ;;) oxygen plasma뿐만 아니라 oxygen기를 포함하고 있는 다른 plasma를 사용할 경우에도 interface쪽의 oxidation 가능성이 있을까요?? 참고로 oxidation되는 물질이 Ta입니다.
  • metal interface
  • plasma
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답변 2
  • 답변

    안길홍님의 답변

    2009-01-21
    • 0

    첨부파일

    온도 특성이 어떠한지 모르겠으나, 자료들에는 300C정도 이상이 되면 oxidation이 일어나는 것으로 나오고 있습니다.
    답변수정
    온도 특성이 어떠한지 모르겠으나, 자료들에는 300C정도 이상이 되면 oxidation이 일어나는 것으로 나오고 있습니다.
    등록된 댓글이 없습니다.
  • 답변

    이상후님의 답변

    2010-01-30
    • 0

    첨부파일

    >안녕하세요.. > >metal stack구조에서 oxygen plasma를 사용할 경우 metal과 metal interface 전체에 oxidation이 될 가능성이 얼마나 높은가요? (약 50nm square 모양의 interface전체에 oxidation 현상이 있네요..ㅡ.ㅡ;;) > >oxygen plasma뿐만 아니라 oxygen기를 포함하고 있는 다른 plasma를 사용할 경우에도 interface쪽의 oxidation 가능성이 있을까요?? > >참고로 oxidation되는 물질이 Ta입니다. Metal interface oxidation 자료 첨부합니다.
    답변수정
    >안녕하세요.. > >metal stack구조에서 oxygen plasma를 사용할 경우 metal과 metal interface 전체에 oxidation이 될 가능성이 얼마나 높은가요? (약 50nm square 모양의 interface전체에 oxidation 현상이 있네요..ㅡ.ㅡ;;) > >oxygen plasma뿐만 아니라 oxygen기를 포함하고 있는 다른 plasma를 사용할 경우에도 interface쪽의 oxidation 가능성이 있을까요?? > >참고로 oxidation되는 물질이 Ta입니다. Metal interface oxidation 자료 첨부합니다.
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