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지식나눔

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ZnO광학적 특성에서 질문드립니다

2009-01-21 org.kosen.entty.User@202376d1 김정섭(liberty951)
  • 1
광학적 특성은 Near bend Edge(NBE) emission과 결함 등에 관련된 emission. 상온에서 60 meV의 큰 exiton 결합에너지 가지고 있으 므로 상온에서 안정하고 고효율의 레이져 방출에 용이. 이러한 특성들이 있다고 들었는데요 그런데 Near bend Edge가 무엇인지.. 그리고 blue LED쪽 설명같은데 Near bend Edge가 방사 그리고 결함등에 관련한 방사 라는것이 어떤 연관이 있어서 이러한 매커니즘을 가지는지 궁금합니다. 그리고 엑시톤 결합에너지에 대해서 쉽게 설명해주세요 분야가 틀려서 많이 적응하기 힘들어서 질문드려요 감사합니다
  • ZnO
  • Near Bend Edge
  • exiton
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답변 1
  • 답변

    이배훈님의 답변

    2009-01-23
    • 0

    첨부파일

    >광학적 특성은 Near bend Edge(NBE) emission과 결함 >등에 관련된 emission. >상온에서 60 meV의 큰 exiton 결합에너지 가지고 있으 >므로 상온에서 안정하고 고효율의 레이져 방출에 용이. > >이러한 특성들이 있다고 들었는데요 >그런데 Near bend Edge가 무엇인지.. >그리고 blue LED쪽 설명같은데 Near bend Edge가 방사 그리고 결함등에 관련한 방사 >라는것이 어떤 연관이 있어서 이러한 매커니즘을 가지는지 궁금합니다. > >그리고 엑시톤 결합에너지에 대해서 쉽게 설명해주세요 >분야가 틀려서 많이 적응하기 힘들어서 질문드려요 > >감사합니다 near band edge emission은 ZnO 가 갖고 있는 direct bandgap (valence와 conduction) 3.37 eV 이유로 exciton 들떠 있다고 바로 전자와 다시 bind되면서 빛을 내는데 380nm,3.25 eV 의 uv blue band 영역이고 두번째 내는 것은 green band (500-530 nm, 2.35-2.50 ev)인데 두번째 빛은 주로 ZnO의 구조적결함 및 불순물 때문입니다. 엑시톤 결합에너지에너지는 한마디로 전자와 엑시톤이 결합하여 있는 에너지입니다. 즉 전자홀 (엑시톤, 전자가 있는 공간)과 전자가 binding 하는 에너지로서 ZnO 60 meV 이죠 실온에서 thermal energy (kT: 25.6 meV보다 크죠) ZnO has a larger exciton binding energy (~60 meV, 2.4 times of the room-temperature thermal energy), which results in bright roo-temperature emission from ZnO. ZnO is a semiconductor with a direct bandgap energy of 3.37 eV at room temperature. The most common applications are in laser diodes and light emitting diodes (LEDs) since it has an exciton and biexciton energies of 60 meV and 15 meV, respectively. It is expected that this exciton properties of ZnO will be improved further by epitaxy.
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    >광학적 특성은 Near bend Edge(NBE) emission과 결함 >등에 관련된 emission. >상온에서 60 meV의 큰 exiton 결합에너지 가지고 있으 >므로 상온에서 안정하고 고효율의 레이져 방출에 용이. > >이러한 특성들이 있다고 들었는데요 >그런데 Near bend Edge가 무엇인지.. >그리고 blue LED쪽 설명같은데 Near bend Edge가 방사 그리고 결함등에 관련한 방사 >라는것이 어떤 연관이 있어서 이러한 매커니즘을 가지는지 궁금합니다. > >그리고 엑시톤 결합에너지에 대해서 쉽게 설명해주세요 >분야가 틀려서 많이 적응하기 힘들어서 질문드려요 > >감사합니다 near band edge emission은 ZnO 가 갖고 있는 direct bandgap (valence와 conduction) 3.37 eV 이유로 exciton 들떠 있다고 바로 전자와 다시 bind되면서 빛을 내는데 380nm,3.25 eV 의 uv blue band 영역이고 두번째 내는 것은 green band (500-530 nm, 2.35-2.50 ev)인데 두번째 빛은 주로 ZnO의 구조적결함 및 불순물 때문입니다. 엑시톤 결합에너지에너지는 한마디로 전자와 엑시톤이 결합하여 있는 에너지입니다. 즉 전자홀 (엑시톤, 전자가 있는 공간)과 전자가 binding 하는 에너지로서 ZnO 60 meV 이죠 실온에서 thermal energy (kT: 25.6 meV보다 크죠) ZnO has a larger exciton binding energy (~60 meV, 2.4 times of the room-temperature thermal energy), which results in bright roo-temperature emission from ZnO. ZnO is a semiconductor with a direct bandgap energy of 3.37 eV at room temperature. The most common applications are in laser diodes and light emitting diodes (LEDs) since it has an exciton and biexciton energies of 60 meV and 15 meV, respectively. It is expected that this exciton properties of ZnO will be improved further by epitaxy.
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