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>플라즈마에대해 공부하는 학생입니다. 몇가지질문하겠습니다. >제가쓴느것이 에이피피회사 MYPL이란 RF power, glow,direct discharge 상압플라즈마입니다.(전극사이에 가스를흘려주어 주파수13,56MHZ와 POWER 100W정도를 흘려주어 가스를 플라즈마로 바꾸는것 같은데) >우선 첫번째로 주가스로 Ar을 쓰고 다른산소나 암모니아등을 섞어써서 Ar이 플라즈마를 일으키고 산소나 암모니아가 반응하는 가스로 알고있습니다. Ar,He이 이온화 에너지가 낮아서 적은 에너지에도 플라즈마를 생성할수있어서 이것으로 플라즈마를 일으키고 다른 산소나 암모니아등으고 반응을 하는것으로 알고잇는데 다른 자세한이유는 없는지 알고싶습니다. (다른 가스들도있고 비활성기체도 다른몇가지도있는데...) >두번째 감압에서는 주가스를 사용하지 않고 바로 산소,암모니아등 바로 쓰는이유는 >파센에 법칙에따라 p(압력)가 낮기때문에 상대적으로 플라즈마를 잘일으키기 때문에 >Ar,He같은 주가스가 필요없이도 플라즈마가 일어나는것인가여? >감압에서 산소가스만으로 어떻게 플라즈마가 일어나는지 산소가스로 표면에 반응도 해야하는데 어떻게되는것인지 알고싶습니다. >플라즈마 알면알수록 헷갈립니다.ㅠ

회사원입니다 플라즈마 발생하는 원리와 구조을 유심히 관찰하면 불활성 기체인 Ar 사용하는 것은 증착하고자 하는 물질의 고유특성과 Power을 조절가능하면 이때 O2는 물질 고유특성과 흡수 현상을 최소화하는 것입니다. Ar은 다른 물질과 화학반응을 하지 안고 앞에서 Power는 Ar 량과 전압을 잘 조절하여야 하면 량이 과도 시 증착율이 낮은 현상이 발생하여 막질(박막)이 저하됩니다. 제일 혁심은 증착하고자하는 물질의 고유특성과 플라즈마을 자기가 원하는되록 조절가능유무 PVD와CVD 방식을 혼합하여 생각하면 일차적으로 플라즈마 발생(전압설정->진공도 설정=Ar량) O2량 주입 단 전도성 주의하세요. 추가적으로 제품이 이동하는 속도및 회전수 설정 잘 하세요

일단 대기압에서 균일한 글로우플라즈마를 생성시키는 게 어렵습니다. 산소나 공기 같은 평범한 가스를 사용하면 streamer discharge(filamentary discharge)라고 하는 불균일한 플라즈마가 되기때문에 표면처리나 세정 같은 균일한 surface treatment를 요하는 데 사용할 수 없죠. 대기압에서 균일한 플라즈마를 형성하는 가스로는 Ar, He등을 대표적으로 꼽을 수 있는데 그 이유는 두 가스 모두 metastable(준중성) 상태로 대기압 상태에서 오랫동안 존재할 수 있기 때문입니다. 아시다시피 플라즈마 형성을 위해서는 충분한 양의 전자 생성이 선행되어야 하는데 High pressure에서는 mean free path가 짧기 때문에 전자들이 atomic/molecular gas를 이온화시킬만큼 충분히 가속되기 전에 불필요한 충돌로 전자가 에너지를 잃게 됩니다. 그래서 특히 대기압플라즈마의 경우에는 인가전압이 높아지는 거구요. 원글자가 '플라즈마가 잘 일어나느냐 못 일어나느냐'라고 표현한 부분이 궁극적으로는 바로 압력차에 의한 mean free path의 차이로 인해 일어난다고 말할 수 있을 것 같군요. 하지만 He, Ar gas의 경우에는 ionization potential만큼의 고에너지 전자가 direct collision으로 충돌해서 이온화시키지 않더라도 준중성상태로 오랫동안 플라즈마 내부에 존재하게 되므로 산소나, 질소 등의 다른 impurity gas와 충돌해서 이온화시킬 수 있습니다. 이를 Penning Ionization(페닝 효과)라고 합니다. Penning 관계에 있는 가스들로 알려져 있는 예로는, He-N2, Ar-NH3 가 대표적입니다. Penning ionization 효과에 의해서 방전전압이 더 낮아져서 플라즈마 생성이 더 쉬워질 수 있습니다. >플라즈마에대해 공부하는 학생입니다. 몇가지질문하겠습니다. >제가쓴느것이 에이피피회사 MYPL이란 RF power, glow,direct discharge 상압플라즈마입니다.(전극사이에 가스를흘려주어 주파수13,56MHZ와 POWER 100W정도를 흘려주어 가스를 플라즈마로 바꾸는것 같은데) >우선 첫번째로 주가스로 Ar을 쓰고 다른산소나 암모니아등을 섞어써서 Ar이 플라즈마를 일으키고 산소나 암모니아가 반응하는 가스로 알고있습니다. Ar,He이 이온화 에너지가 낮아서 적은 에너지에도 플라즈마를 생성할수있어서 이것으로 플라즈마를 일으키고 다른 산소나 암모니아등으고 반응을 하는것으로 알고잇는데 다른 자세한이유는 없는지 알고싶습니다. (다른 가스들도있고 비활성기체도 다른몇가지도있는데...) >두번째 감압에서는 주가스를 사용하지 않고 바로 산소,암모니아등 바로 쓰는이유는 >파센에 법칙에따라 p(압력)가 낮기때문에 상대적으로 플라즈마를 잘일으키기 때문에 >Ar,He같은 주가스가 필요없이도 플라즈마가 일어나는것인가여? >감압에서 산소가스만으로 어떻게 플라즈마가 일어나는지 산소가스로 표면에 반응도 해야하는데 어떻게되는것인지 알고싶습니다. >플라즈마 알면알수록 헷갈립니다.ㅠ

>플라즈마에대해 공부하는 학생입니다. 몇가지질문하겠습니다. >제가쓴느것이 에이피피회사 MYPL이란 RF power, glow,direct discharge 상압플라즈마입니다.(전극사이에 가스를흘려주어 주파수13,56MHZ와 POWER 100W정도를 흘려주어 가스를 플라즈마로 바꾸는것 같은데) >우선 첫번째로 주가스로 Ar을 쓰고 다른산소나 암모니아등을 섞어써서 Ar이 플라즈마를 일으키고 산소나 암모니아가 반응하는 가스로 알고있습니다. Ar,He이 이온화 에너지가 낮아서 적은 에너지에도 플라즈마를 생성할수있어서 이것으로 플라즈마를 일으키고 다른 산소나 암모니아등으고 반응을 하는것으로 알고잇는데 다른 자세한이유는 없는지 알고싶습니다. (다른 가스들도있고 비활성기체도 다른몇가지도있는데...) >두번째 감압에서는 주가스를 사용하지 않고 바로 산소,암모니아등 바로 쓰는이유는 >파센에 법칙에따라 p(압력)가 낮기때문에 상대적으로 플라즈마를 잘일으키기 때문에 >Ar,He같은 주가스가 필요없이도 플라즈마가 일어나는것인가여? >감압에서 산소가스만으로 어떻게 플라즈마가 일어나는지 산소가스로 표면에 반응도 해야하는데 어떻게되는것인지 알고싶습니다. >플라즈마 알면알수록 헷갈립니다.ㅠ 반갑습니다~ (주) 다원시스 www.dawonsys.co.kr 은 대기압 프라즈마 발생기 전원 장치를 생산하고 있습니다. 또한 KSTAR, ITER. 에 전원장치도 공급하고 있어요. 공기에는 질소 함유율이 높죠. 주로 알곤이 진공이든 대기압이든 프라즈마 메칭이 잘 됩니다. 그래서 주로 알곤으로 먼저 프라즈마를 메칭한다음 요구되는 가스를 넣는 방법을 이용하는데요 불활성가스 종류는 안전하기도 합니다.