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LTS (Long Throw Sputtering) 의 개념 및 장단점을 알고싶습니다.

LTS (Long Throw Sputtering) 의 개념 및 장단점을 알고싶습니다. 부탁드립니다.
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답변 1
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    김성화님의 답변

    >LTS (Long Throw Sputtering) 의 개념 및 장단점을 알고싶습니다. > >부탁드립니다. 일반적인 마그네트론 스퍼터링에서 반응가스(예, 산소)를 이용하여 박막을 증착할 경우, 반응가스에 의해 타깃표면에서 일어나는 산화되는 현상이 일어나고 이로 인해 타깃표면에는 절연층이 형성되어 미세아크들이 발생하게 됩니다. 또한 기판 및 진공챔버 벽과 같은 야양극에 해당하는 부분에 절연층이 쌓이게 되어 양극소멸현상도 발생합니다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로 타깃에서 기판의 거리를 길게하여 타깃에서 스퍼터된 증착입자들의 진행거리를 길게 해 주는 방법을 long throw 방법이라고 하며, 낮은 증착압력에서 높은 종횡비(AR)를 갖는 VLSI나 ULSI 소자를 만들기 위한 증착 방법으로 연구되었습니다. 아래의 참고문헌 참고하십시오. 1] T. Smy et. al., “A simulation study of long throw sputtering for diffusion barrier deposition into high aspect vias and contacts,” IEEE Transactions on electron devices 45(7), 1414-1425 (1998). 2] J. N. Broughton, et. al., "Long throw sputter deposition of titanium at low pressure,” VMIC Conference, June 27-29, 201-203 (1995). 상기의 문제점들을 해결하기 위해, 타깃과 기판을 완전 분리시키는 방법, 주입되는 반응가스를 간헐적으로 주입하는 방법, 진공펌프의 배기속력을 빠르게 하는 방법 등이 있습니다.
    >LTS (Long Throw Sputtering) 의 개념 및 장단점을 알고싶습니다. > >부탁드립니다. 일반적인 마그네트론 스퍼터링에서 반응가스(예, 산소)를 이용하여 박막을 증착할 경우, 반응가스에 의해 타깃표면에서 일어나는 산화되는 현상이 일어나고 이로 인해 타깃표면에는 절연층이 형성되어 미세아크들이 발생하게 됩니다. 또한 기판 및 진공챔버 벽과 같은 야양극에 해당하는 부분에 절연층이 쌓이게 되어 양극소멸현상도 발생합니다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로 타깃에서 기판의 거리를 길게하여 타깃에서 스퍼터된 증착입자들의 진행거리를 길게 해 주는 방법을 long throw 방법이라고 하며, 낮은 증착압력에서 높은 종횡비(AR)를 갖는 VLSI나 ULSI 소자를 만들기 위한 증착 방법으로 연구되었습니다. 아래의 참고문헌 참고하십시오. 1] T. Smy et. al., “A simulation study of long throw sputtering for diffusion barrier deposition into high aspect vias and contacts,” IEEE Transactions on electron devices 45(7), 1414-1425 (1998). 2] J. N. Broughton, et. al., "Long throw sputter deposition of titanium at low pressure,” VMIC Conference, June 27-29, 201-203 (1995). 상기의 문제점들을 해결하기 위해, 타깃과 기판을 완전 분리시키는 방법, 주입되는 반응가스를 간헐적으로 주입하는 방법, 진공펌프의 배기속력을 빠르게 하는 방법 등이 있습니다.
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