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분석 관련 질문 드립니다.

Cu substrate에 VLS 메커니즘으로 PECVD장비로 Silicon nanowire를 성장 시켰습니다. 그리고 포스핀을 이용한 도핑을 통하여 n-type 실리콘 나노와이어를 성장 시켰습니다. 도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 특성분석을 어떻게 해야할지 모르겠습니다. 전기적인 특성을 분석장비중 4 point라던지 Hall measurement는 적당하지 않다고 판단되어집니다. 도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 분석을 하고싶은데 조언을 구합니다. 혹 다른 방법으로 도핑 유무를 확인할수있다면 방법을 좀 전수해주시면 감사하겠습니다.
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답변 1
  • 답변

    안길홍님의 답변

    >Cu substrate에 VLS 메커니즘으로 PECVD장비로 Silicon nanowire를 성장 시켰습니다. >그리고 포스핀을 이용한 도핑을 통하여 n-type 실리콘 나노와이어를 성장 시켰습니다. > >도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 특성분석을 어떻게 해야할지 모르겠습니다. 전기적인 특성을 분석장비중 4 point라던지 Hall measurement는 적당하지 않다고 판단되어집니다. 도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 분석을 하고싶은데 조언을 구합니다. 혹 다른 방법으로 도핑 유무를 확인할수있다면 방법을 좀 전수해주시면 감사하겠습니다. AFM scanning기법이 있습니다.기초과학지원연구소에서 가능합니다. doping유무를 파악가능합니다.물론 전기적인 분석도 가능합니다.
    >Cu substrate에 VLS 메커니즘으로 PECVD장비로 Silicon nanowire를 성장 시켰습니다. >그리고 포스핀을 이용한 도핑을 통하여 n-type 실리콘 나노와이어를 성장 시켰습니다. > >도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 특성분석을 어떻게 해야할지 모르겠습니다. 전기적인 특성을 분석장비중 4 point라던지 Hall measurement는 적당하지 않다고 판단되어집니다. 도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 분석을 하고싶은데 조언을 구합니다. 혹 다른 방법으로 도핑 유무를 확인할수있다면 방법을 좀 전수해주시면 감사하겠습니다. AFM scanning기법이 있습니다.기초과학지원연구소에서 가능합니다. doping유무를 파악가능합니다.물론 전기적인 분석도 가능합니다.
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