2010-01-22
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김정섭(liberty951)
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Cu substrate에 VLS 메커니즘으로 PECVD장비로 Silicon nanowire를 성장 시켰습니다.
그리고 포스핀을 이용한 도핑을 통하여 n-type 실리콘 나노와이어를 성장 시켰습니다.
도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 특성분석을 어떻게 해야할지 모르겠습니다. 전기적인 특성을 분석장비중 4 point라던지 Hall measurement는 적당하지 않다고 판단되어집니다. 도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 분석을 하고싶은데 조언을 구합니다. 혹 다른 방법으로 도핑 유무를 확인할수있다면 방법을 좀 전수해주시면 감사하겠습니다.
- si nanowire
- nanowire
- PECVD
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
이상후님의 답변
2010-01-22- 2
>Cu substrate에 VLS 메커니즘으로 PECVD장비로 Silicon nanowire를 성장 시켰습니다. >그리고 포스핀을 이용한 도핑을 통하여 n-type 실리콘 나노와이어를 성장 시켰습니다. > >도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 특성분석을 어떻게 해야할지 모르겠습니다. 전기적인 특성을 분석장비중 4 point라던지 Hall measurement는 적당하지 않다고 판단되어집니다. 도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 분석을 하고싶은데 조언을 구합니다. 혹 다른 방법으로 도핑 유무를 확인할수있다면 방법을 좀 전수해주시면 감사하겠습니다. > electrical transport measurement를 통해서 확인이 가능합니다. 또한 atomic force microscopy로도 doping 유무 확인이 가능합니다. 관련 내용을 첨부합니다. -
답변
안길홍님의 답변
2010-01-22- 2
첨부 자료와 같은 AFM으로 측정합니다. -
답변
변성천님의 답변
2010-03-19- 0
I-AFM(C-AFM)를 이용하여 I-V 곡선 그리는 분석을 하였습니다. >Cu substrate에 VLS 메커니즘으로 PECVD장비로 Silicon nanowire를 성장 시켰습니다. >그리고 포스핀을 이용한 도핑을 통하여 n-type 실리콘 나노와이어를 성장 시켰습니다. > >도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 특성분석을 어떻게 해야할지 모르겠습니다. 전기적인 특성을 분석장비중 4 point라던지 Hall measurement는 적당하지 않다고 판단되어집니다. 도핑이 되었는지 안되었는지 판단하기위해 전기적인 분석을 하고싶은데 조언을 구합니다. 혹 다른 방법으로 도핑 유무를 확인할수있다면 방법을 좀 전수해주시면 감사하겠습니다. >