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지식나눔

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습식 에칭과 건식에칭하는 방법에 대해 알고 싶습니다.

2010-02-03 org.kosen.entty.User@22a0a65d 박희우(phw10111)
  • 3
습식 에칭과 건식에칭하는 방법에 대해 알고 싶습니다. 습식은 액체를 사용하고 건식은 액체를 사용하지 않고 에칭하는것으로 알고 있습니다. 정확하게 어떤식으로 에칭하는지 알고 싶습니다. 예를들어 건식의 경우는 액체가 아닌 무엇을 사용해서 에칭을 하는지 알고 싶습니다.
  • 습식에칭
  • 건식에칭
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답변 3
  • 답변

    이상후님의 답변

    2010-02-04
    • 0

    첨부파일

    >습식 에칭과 건식에칭하는 방법에 대해 알고 싶습니다. >습식은 액체를 사용하고 건식은 액체를 사용하지 않고 에칭하는것으로 >알고 있습니다. 정확하게 어떤식으로 에칭하는지 알고 싶습니다. >예를들어 건식의 경우는 액체가 아닌 무엇을 사용해서 >에칭을 하는지 알고 싶습니다. 하나의 반도체는 손톱 크기만큼 작고 얇은 실리콘 칩에 불과하지만, 그 안에는 트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터 등 수 만개의 미세한 부품들로 가득 차 있습니다. 하지만 머리카락 굵기의 8만분의 1크기의 ‘나노미터’급 부품들을 각각 따론 만들어 하나의 칩에 내장할 수 없습니다. 대신 각각의 부품과 이를 전기적으로 연결하는 회로를 하나의 패턴으로 만들어 반도체 내 여러 층의 얇은 막에 그려 넣은 방식을 사용합니다. 이때 기판에 회로 패턴을 만들어주기 위해 화공약품이나 부식성 가스를 이용해 필요 없는 부분을 선택적으로 없애는 과정으로 현상액이 남아 있는 부분을 남겨둔 채 나머지 부분은 부식시키는 것이 에칭(식각)공정입니다. 이렇게 기판위에 박막을 형성하고 에칭을 통해 회로 패턴을 형성하는 과정을 반복함으로써 반도체만의 고유한 특성을 갖게 되는 것입니다. 반도체뿐만 아니라 LCD 등 디스플레이 제조에도 적용되는 에칭 공정은 크게 건식과 습식으로 나뉩니다. 이와 관련 습식은 액상의 화학약품으로 기판 표면에 불필요한 부분을 깎아 내는 방식입니다. 습식에칭의 이러한 특징은 3 um 이하의 형상을 정의 하는 것에는 부적합니다. 그러므로 식각되어야 할 필름의 두께가 3 um 이하가 되면 언더컷에 의하여 사용할 수 없게 됩니다. 고밀도 집적회로에 사용되는 필름의 두께가 약 0.5 - 1.0 um 인 것을 감안한다면 습식에칭 으로는 에칭을 할 수 없게 됩니다. 반면 건식은 액체가 아닌 가스를 사용하게 됩니다. 습식에 비해 건식이 많은 비용이 들고 방법이 까다롭다는 단점이 있으나, 최근 극 미세 회로선폭 및 기판 대형화 추세에 따라 수율을 높이기 위한 방법으로 건식이 확대되고 있는 추세입니다. 식각 공정은 크게 습식 식각(wet etching)과 건식 식각(dry etching)으로 구분되는데, 이중 습식 식각 공정은 일반적으로 식각 용액에 웨이퍼를 넣어 액체-고체(liquid-solid) 화학반응에 의해 식각이 이루어지게 하는 것을 말합니다. 좀 더 자세한 내용을 참고하도록 관련자료 첨부합니다. 참고하세요.
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    >습식 에칭과 건식에칭하는 방법에 대해 알고 싶습니다. >습식은 액체를 사용하고 건식은 액체를 사용하지 않고 에칭하는것으로 >알고 있습니다. 정확하게 어떤식으로 에칭하는지 알고 싶습니다. >예를들어 건식의 경우는 액체가 아닌 무엇을 사용해서 >에칭을 하는지 알고 싶습니다. 하나의 반도체는 손톱 크기만큼 작고 얇은 실리콘 칩에 불과하지만, 그 안에는 트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터 등 수 만개의 미세한 부품들로 가득 차 있습니다. 하지만 머리카락 굵기의 8만분의 1크기의 ‘나노미터’급 부품들을 각각 따론 만들어 하나의 칩에 내장할 수 없습니다. 대신 각각의 부품과 이를 전기적으로 연결하는 회로를 하나의 패턴으로 만들어 반도체 내 여러 층의 얇은 막에 그려 넣은 방식을 사용합니다. 이때 기판에 회로 패턴을 만들어주기 위해 화공약품이나 부식성 가스를 이용해 필요 없는 부분을 선택적으로 없애는 과정으로 현상액이 남아 있는 부분을 남겨둔 채 나머지 부분은 부식시키는 것이 에칭(식각)공정입니다. 이렇게 기판위에 박막을 형성하고 에칭을 통해 회로 패턴을 형성하는 과정을 반복함으로써 반도체만의 고유한 특성을 갖게 되는 것입니다. 반도체뿐만 아니라 LCD 등 디스플레이 제조에도 적용되는 에칭 공정은 크게 건식과 습식으로 나뉩니다. 이와 관련 습식은 액상의 화학약품으로 기판 표면에 불필요한 부분을 깎아 내는 방식입니다. 습식에칭의 이러한 특징은 3 um 이하의 형상을 정의 하는 것에는 부적합니다. 그러므로 식각되어야 할 필름의 두께가 3 um 이하가 되면 언더컷에 의하여 사용할 수 없게 됩니다. 고밀도 집적회로에 사용되는 필름의 두께가 약 0.5 - 1.0 um 인 것을 감안한다면 습식에칭 으로는 에칭을 할 수 없게 됩니다. 반면 건식은 액체가 아닌 가스를 사용하게 됩니다. 습식에 비해 건식이 많은 비용이 들고 방법이 까다롭다는 단점이 있으나, 최근 극 미세 회로선폭 및 기판 대형화 추세에 따라 수율을 높이기 위한 방법으로 건식이 확대되고 있는 추세입니다. 식각 공정은 크게 습식 식각(wet etching)과 건식 식각(dry etching)으로 구분되는데, 이중 습식 식각 공정은 일반적으로 식각 용액에 웨이퍼를 넣어 액체-고체(liquid-solid) 화학반응에 의해 식각이 이루어지게 하는 것을 말합니다. 좀 더 자세한 내용을 참고하도록 관련자료 첨부합니다. 참고하세요.
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    김영기님의 답변

    2010-02-04
    • 0
    기본적으로 에칭은 물질간의 화학반응을 이용하여 특정 물질을 제거하는 것입니다. 따라서 반응물질이 불산/황산/질산/염산과 같은 용액을 이용하면 습식이고, 반응물질이 F/Cl/Br등의 가스상태를 이용하면 건식이라고 대략 구분할 수 있습니다. 즉, 습식과 건식의 구분은 일반적으로 수용액을 이용하느냐 가스를 이용하느냐로 구분합니다. 반도체/LCD 제조 과정에서 에칭이라 함은 '식각'이라고도 합니다. 반도체 제조과정은 크게 필요없는 부분을 선택적으로 깍아내고, 구조물을 쌓는 과정의 반복으로서 건축물을 짓는 것과 유사합니다. 그중에서 깍는 과정을 에칭(식각)이라고 보면 됩니다. 반도체의 경우를 예로 들자면, 1) 습식식각은 흔히 사용하는 방법은 Resist 또는 PR(Photo Resist)를 이용하여 에칭하고자 하는 곳 이외의 부분을 이것으로 가리고, 용액 또는 가스에 노출시키면 노출된 부분은 반응하여 제거됩니다. 2) 건식방법으로는 극성(+,-)을 띠고 에너지가 있는 것이면 모두 이용가능하지만, 물질이 이 에너지를 견뎌야 되니 보통은 플라즈마를 이용하여 가스를 분해하여 반응성 물질(F, Cl, Br)또는 이들의 화합물로 에칭합니다. 좀더 자세한 내용은 하기 싸이트를 참고하시면 도움이 될 것 같습니다. http://cafe.naver.com/lcdandlcd.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=720
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    기본적으로 에칭은 물질간의 화학반응을 이용하여 특정 물질을 제거하는 것입니다. 따라서 반응물질이 불산/황산/질산/염산과 같은 용액을 이용하면 습식이고, 반응물질이 F/Cl/Br등의 가스상태를 이용하면 건식이라고 대략 구분할 수 있습니다. 즉, 습식과 건식의 구분은 일반적으로 수용액을 이용하느냐 가스를 이용하느냐로 구분합니다. 반도체/LCD 제조 과정에서 에칭이라 함은 '식각'이라고도 합니다. 반도체 제조과정은 크게 필요없는 부분을 선택적으로 깍아내고, 구조물을 쌓는 과정의 반복으로서 건축물을 짓는 것과 유사합니다. 그중에서 깍는 과정을 에칭(식각)이라고 보면 됩니다. 반도체의 경우를 예로 들자면, 1) 습식식각은 흔히 사용하는 방법은 Resist 또는 PR(Photo Resist)를 이용하여 에칭하고자 하는 곳 이외의 부분을 이것으로 가리고, 용액 또는 가스에 노출시키면 노출된 부분은 반응하여 제거됩니다. 2) 건식방법으로는 극성(+,-)을 띠고 에너지가 있는 것이면 모두 이용가능하지만, 물질이 이 에너지를 견뎌야 되니 보통은 플라즈마를 이용하여 가스를 분해하여 반응성 물질(F, Cl, Br)또는 이들의 화합물로 에칭합니다. 좀더 자세한 내용은 하기 싸이트를 참고하시면 도움이 될 것 같습니다. http://cafe.naver.com/lcdandlcd.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=720
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    안길홍님의 답변

    2010-02-04
    • 0
    미세회로공정이 반도체 공정에서 가장 중요한 know-how에 속하는 공정으로,습식은 말 그대로 에칭 용액으로 하는 것이고,건식은 미세회로를 patterning할 경우 습식으로는 정밀성이 나오지 않습니다.따라서 주로 plasma를 이용하여 etching하는데, 때로는 사진 촬영할 때와 같이 감광성수지를 이용하여 노광에 의하여 etching하는 것도 있으며(lithography),print인쇄하듯이 patterning을 잡는 방법등등 여러가지가 있습니다. 이의 식각된 형태에 따라 음각(negative etching), 양각(positive etching)인지로 구분되어 집니다. 이러한 미세회로 patterning작업이 반도체에서 그 회사의 가장 핵심이 되는 비밀에 속하고 있으며, 이에 사용되는 장비 및 설계도, 공정은 각회사에 따라서 차이가 있습니다.
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    미세회로공정이 반도체 공정에서 가장 중요한 know-how에 속하는 공정으로,습식은 말 그대로 에칭 용액으로 하는 것이고,건식은 미세회로를 patterning할 경우 습식으로는 정밀성이 나오지 않습니다.따라서 주로 plasma를 이용하여 etching하는데, 때로는 사진 촬영할 때와 같이 감광성수지를 이용하여 노광에 의하여 etching하는 것도 있으며(lithography),print인쇄하듯이 patterning을 잡는 방법등등 여러가지가 있습니다. 이의 식각된 형태에 따라 음각(negative etching), 양각(positive etching)인지로 구분되어 집니다. 이러한 미세회로 patterning작업이 반도체에서 그 회사의 가장 핵심이 되는 비밀에 속하고 있으며, 이에 사용되는 장비 및 설계도, 공정은 각회사에 따라서 차이가 있습니다.
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