2011-02-23
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김지수(soo0201)
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안녕하세요.
HMDS의 특성에 대해알고 싶습니다.
흔히 포토 공정을 할 때 웨이퍼의 기판 특성을 소수성으로 만들기 위해 HMDS를 사용하는데, 나중에 따로 제거를 해줄 필요가 없는 휘발성 기체 인가요??
만약 그렇다면 HMDS의 지속력은 어느 정도가 되며, 가열했을 경우 날라가서 기판의 소수성 특성이 약해지게 되나요?
정리하자면,
1. 추 후 제거해주는 공정을 따로 진행을 해주어야 하는가?(포토공정이외 사용시)
2. 상온 대기중에서 지속성은 어느정도인가?
3. 오븐이나 핫플레이트에서 bake할 경우 날라가는가? 아니면, 굽는 정도에 대한 조건이 있는가?
4. 기판의 비저항에 영향을 주는가?
입니다.
답변 기다리겠습니다. 감사합니다.
- hydrophobic
- 소수성
- HMDS
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 2
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답변
조윤환님의 답변
2011-02-23- 0
반도체 공정에 대해선 잘 모릅니다만..... 화학 전공자의 시각에서 말씀 드리려 합니다. 우선 HMDS는 반응성이 높은 화학물질로 반도체 웨이퍼 기판에 처리할 경우 웨이퍼 표면에 존재하는 실리콘 산화물(Si-OH)과 쉽게 화학ㅈ적반응을 일으킵니다. 소위 silylating agent로 작용하는 것이죠. 표면의 성질이 친수성에서 소수성으로 변하는 이유도 바로 이러한 화학반응의 결과 입니다. 단순히 표면에 화학물질이 흡착되어 표면의 성질이 변하는 것이 아니라는 뜻입니다. HMDS는 상온에서 액체이고, 끊는점(bp)이 120도 정도 입니다. 따라서 bp이상의 온도에선 휘발 됩니다. 압력을 상압보다 낮추면 보다 손쉬겝 휘발시킬 수 있을테구요. 보다 자세한 내용은 http://www.cnf.cornell.edu/cnf_process_photo_resists.html#hmds를 참고하세요. 좀 더 자세한 내용은 -
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남규현님의 답변
2011-02-24- 0
>안녕하세요. > >HMDS의 특성에 대해알고 싶습니다. > >흔히 포토 공정을 할 때 웨이퍼의 기판 특성을 소수성으로 만들기 위해 HMDS를 사용하는데, 나중에 따로 제거를 해줄 필요가 없는 휘발성 기체 인가요?? >만약 그렇다면 HMDS의 지속력은 어느 정도가 되며, 가열했을 경우 날라가서 기판의 소수성 특성이 약해지게 되나요? > >정리하자면, > >1. 추 후 제거해주는 공정을 따로 진행을 해주어야 하는가?(포토공정이외 사용시) >2. 상온 대기중에서 지속성은 어느정도인가? >3. 오븐이나 핫플레이트에서 bake할 경우 날라가는가? 아니면, 굽는 정도에 대한 조건이 있는가? >4. 기판의 비저항에 영향을 주는가? > >입니다. > >답변 기다리겠습니다. 감사합니다. 보통 Si wafer를 개봉하여 클리닝 과정(표면의 네이티브 옥사이드를 제거 해주는 과정, BOE이용)을 하게 되면 표면이 친수성을 띄게 되는 부분이 있습니다. HMDS처리는 주로 소수성특성을 지닌 PR을 이용하여 패터닝 과정 (photolithography)을 진행할때, PR과 기판과의 wetability를 증가시켜, 스핀코팅되는 PR의 uniformity 및 부착력을 좋게합니다. 패터닝과정에 PR을 develope한후 패턴에 남아있는 residual PR을 제거하기위해 O2를 이용하여 남아있는 PR을 제거 해주게 됩니다. 이때 패턴부위 밑의 HMDS처리 부분까지 같이 날라가게 되서 따로 HMDS 처리를 날리기위한 처리는 하고 있지 않습니다. 소수성 폴리머를 스핀코팅 하기 위하여 Si기판을제외한 기판위에 소수성 처리 하실려고 하신다면 플로오르 계열의 수용액 처리 방법이나, 플로오르를 이용한 플라즈마 처리를 추천합니다.