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안녕하세요.
OTFT에 대해서 공부중인데..
질문이 있습니다.
펜타센을 반도체로 사용하고 다른 절연체를 이용해서 OTFT 소자를 만들었는데..
Output characteristics에서 같은 VGS에서 상대적으로 낮은 IDS 값을 보여주는데..
이런거 어떤 차이 때문에 그런가요?
- OTFT
- Output
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변
배진혁님의 답변
2011-11-16- 3
Output 곡선에서 같은 Vgs 에서 상대적으로 낮은 Ids 가 얻어졌다고 하셨는데,
무엇에 비해 상대적으로 낮은 Ids 가 얻어졌는지에 대해서 정보가 없어서
정확하게 말씀드릴수는 없으나,
SiO2 를 절연막으로 하고, 펜타센을 유기반도체층으로 사용하여 제작된 OTFT 소자와
polymeric 절연막과 펜타센을 사용하여 제작된 OTFT 를 비교하였을때
대체적으로 후자의 경우가 같은 측정조건에서 낮은 Ids 값이 얻어집니다.
(최근에서는 PVP 절연막을 사용, 펜타센 기반 소자에서 SiO2 경우보다 더 높은 이동도가 측정되고 있습니다.)
이는 polymeric 절연막과 펜타센 계면과 SiO2 절연막과 펜타센 사이 계면에서
interface trap density 를 계산해보시면, SiO2 계면이 trap density 가 매우적기 때문입니다.
계면에서의 trap density는 문턱전압값에도 영향을 미칠 뿐만 아니라, 전하 이동에 있어 장애물로 동작하기 때문에 전류값 , 전하 이동도에도 영향을 미칩니다.
비교대상이 무엇인지 모르겠으나, 계면의 상태에 대해 분석해 보시는 것이 좋을듯 합니다.
절연막의 roughness 나 surface energy 등 뿐만 아니라, 펜타센의 grain size 및 초기 펜타센 성장에 있어 packing density 도 조사해보시고, 위에서 언급한 interface trap density 도 계산해 보시는 것이 좋을 듯 합니다.