지식나눔

사파이어 상전이 온도가 궁금합니다.

후열처리를 진행하려고 하는데요. 기판의 상전이 온도를 고려주어야 할 것 같은데요.

인터넷이나 자료를 1시간이나 검색했는데요...찾기가 힘드네요.;;; 나만 모르는건지, 찾지를 못하는건지 모르겠네요 ㅠ;;;

혹시 사파이어 기판의 상전의 온도를 아시는 분이 계시는가요?;;
 
부탁드릴께요~~~
 
 
  • 상전이 온도
  • 사파이어
  • 기판
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답변 2
  • 답변

    김형근님의 답변

     반갑습니다.

     

    제가 아는한 사파이어는 알루마나( Al2O3)가 주성분이고 이 안에 불순물이 들어가서 색깔을 나타내는 것으로 알고 있습니다. 따라서 사파이어의 화학식은 알루미나와 같지만, 그렇다고 이놈이 순수한 알루미나가 또한 아니라는 것이지요.

     

    사파이어를 열처리하면 온도에 따라 색깔이 변하게 되는것으로 알고 있으며, 아마 그 온도가 최소 500-600도는 되고 1000도 이상이 되면 아마 색깔이 좀더 투명하게 되는 것으로 기억 합니다.

    물론 불순물이 있지만, 그양에 따라 그 처리 온도도 달라지겠지요.

     

    저역시 이것 저것 자료를 찾아 봤는데, 별로 도움될자료는 없는것 같고, 대신 기본적인 사파이어 자료 올려 드리겠습니다.

     

    알루미나의 상변이 온도는 알고 계시겠지요?

    감마----델타-----쎄타----- 알파 알루미나

    ~500    ~800       ~1000           ~1200도

    알루미나의 상변이는 쉽게 찾을 수 있을것입니다.

     

     

     

    -------------------------------------질문-------------------------------------

    후열처리를 진행하려고 하는데요. 기판의 상전이 온도를 고려주어야 할 것 같은데요.

    인터넷이나 자료를 1시간이나 검색했는데요...찾기가 힘드네요.;;; 나만 모르는건지, 찾지를 못하는건지 모르겠네요 ㅠ;;;

    혹시 사파이어 기판의 상전의 온도를 아시는 분이 계시는가요?;;
     
    부탁드릴께요~~~
     
     

     반갑습니다.

     

    제가 아는한 사파이어는 알루마나( Al2O3)가 주성분이고 이 안에 불순물이 들어가서 색깔을 나타내는 것으로 알고 있습니다. 따라서 사파이어의 화학식은 알루미나와 같지만, 그렇다고 이놈이 순수한 알루미나가 또한 아니라는 것이지요.

     

    사파이어를 열처리하면 온도에 따라 색깔이 변하게 되는것으로 알고 있으며, 아마 그 온도가 최소 500-600도는 되고 1000도 이상이 되면 아마 색깔이 좀더 투명하게 되는 것으로 기억 합니다.

    물론 불순물이 있지만, 그양에 따라 그 처리 온도도 달라지겠지요.

     

    저역시 이것 저것 자료를 찾아 봤는데, 별로 도움될자료는 없는것 같고, 대신 기본적인 사파이어 자료 올려 드리겠습니다.

     

    알루미나의 상변이 온도는 알고 계시겠지요?

    감마----델타-----쎄타----- 알파 알루미나

    ~500    ~800       ~1000           ~1200도

    알루미나의 상변이는 쉽게 찾을 수 있을것입니다.

     

     

     

    -------------------------------------질문-------------------------------------

    후열처리를 진행하려고 하는데요. 기판의 상전이 온도를 고려주어야 할 것 같은데요.

    인터넷이나 자료를 1시간이나 검색했는데요...찾기가 힘드네요.;;; 나만 모르는건지, 찾지를 못하는건지 모르겠네요 ㅠ;;;

    혹시 사파이어 기판의 상전의 온도를 아시는 분이 계시는가요?;;
     
    부탁드릴께요~~~
     
     

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  • 답변

    강광철님의 답변

    첨부파일

     사파이어 기판의







    Melting Temperature


    2300도라고 검색되네요.

    1. Orientations

    Sapphire 는 Hexagon/rhombohedral 구조로 많은 특성이 결정의 방향에 따라 결정이 된다. Epi growth 에 대해서는, 다른 결정 방향은 epi 물질과 일치하는 격자상수의 범위를 가져야 한다.


    2. Substrates

    C-plane sapphire 기판은 Blue LED 에 사용되는 GaN 과 같은 3-5족과 2-4족에 사용되어진다. 더욱이, C-plane 은 infrared detector 의 적용분유에 유용하다.

    A-plane 기판은 일정한 유전율을 가지고, hybrid microelectronic application 에 사용되어지는 높은 절연성을 또한 가진다. High Tc superconductors 은 이 기판을 사용하여서 만들어질 수가 있다.

    R-plane 기판은 microelectronic IC 에 사용을 위해서 실리콘의 Hetero-epitaxial 증착에 사용되어진다. Sapphire 는 높은 유전율 때문에 microwave IC 와 같은 hybrid 기판에 사용이 적당하다. 게다가, epitaxial 실리콘 과정에 필름을 바를 때, 빠른 속도의 IC 와 pressure transducers 이 만들어 질 수 있다. Thallium 성장시, 다른 superconducting components, high impedance resistors, and GaAs 이 적용될 수 있다.


    3. Application
    - GaN, 3-5 족, 2-4족 Compounds
    - IR Detectors
    - High Tesuperconductors and High Frequency Dielectrics.
    High speed IC's and Pressure Transducers
    GaAs wafer carriers
    SOS (Silicon On Sapphire)
    Orientation : A-Plane(1120), C-Plane(0001), R-Plane(1012) 또는 Size up to 4" diameter.

    -------------------------------------질문-------------------------------------

    후열처리를 진행하려고 하는데요. 기판의 상전이 온도를 고려주어야 할 것 같은데요.

    인터넷이나 자료를 1시간이나 검색했는데요...찾기가 힘드네요.;;; 나만 모르는건지, 찾지를 못하는건지 모르겠네요 ㅠ;;;

    혹시 사파이어 기판의 상전의 온도를 아시는 분이 계시는가요?;;
     
    부탁드릴께요~~~
     
     

     사파이어 기판의







    Melting Temperature


    2300도라고 검색되네요.

    1. Orientations

    Sapphire 는 Hexagon/rhombohedral 구조로 많은 특성이 결정의 방향에 따라 결정이 된다. Epi growth 에 대해서는, 다른 결정 방향은 epi 물질과 일치하는 격자상수의 범위를 가져야 한다.


    2. Substrates

    C-plane sapphire 기판은 Blue LED 에 사용되는 GaN 과 같은 3-5족과 2-4족에 사용되어진다. 더욱이, C-plane 은 infrared detector 의 적용분유에 유용하다.

    A-plane 기판은 일정한 유전율을 가지고, hybrid microelectronic application 에 사용되어지는 높은 절연성을 또한 가진다. High Tc superconductors 은 이 기판을 사용하여서 만들어질 수가 있다.

    R-plane 기판은 microelectronic IC 에 사용을 위해서 실리콘의 Hetero-epitaxial 증착에 사용되어진다. Sapphire 는 높은 유전율 때문에 microwave IC 와 같은 hybrid 기판에 사용이 적당하다. 게다가, epitaxial 실리콘 과정에 필름을 바를 때, 빠른 속도의 IC 와 pressure transducers 이 만들어 질 수 있다. Thallium 성장시, 다른 superconducting components, high impedance resistors, and GaAs 이 적용될 수 있다.


    3. Application
    - GaN, 3-5 족, 2-4족 Compounds
    - IR Detectors
    - High Tesuperconductors and High Frequency Dielectrics.
    High speed IC's and Pressure Transducers
    GaAs wafer carriers
    SOS (Silicon On Sapphire)
    Orientation : A-Plane(1120), C-Plane(0001), R-Plane(1012) 또는 Size up to 4" diameter.

    -------------------------------------질문-------------------------------------

    후열처리를 진행하려고 하는데요. 기판의 상전이 온도를 고려주어야 할 것 같은데요.

    인터넷이나 자료를 1시간이나 검색했는데요...찾기가 힘드네요.;;; 나만 모르는건지, 찾지를 못하는건지 모르겠네요 ㅠ;;;

    혹시 사파이어 기판의 상전의 온도를 아시는 분이 계시는가요?;;
     
    부탁드릴께요~~~
     
     

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