지식나눔

GeS의 band structure에 관하여

Germanium(II) Sulfide의 valence band와 conduction band position이 어느 위치에 있는지 아무리 찾아도 안나오네요. 측정방법은 상관없으니 어느정도 포지션에 위치하는 지만이라도 알고 싶습니다. 혹시 kosen 회원님들중 상기 정보를 아시는 자료를 가지고 계신다면 답변 부탁 드립니다.
  • germanium sulfide
  • band position
  • HOMO LUMO
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변! 
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 3
  • 답변

    안길홍님의 답변

    GeS2는 구조의 특성상 band structure를 한개로 명확히 규명하기가 어렵습니다. 이유는 Ge-Ge간의 구조, S-S간의 구조 그리고 Ge과 S 간의 함량의 비율 등으로 인하여 "애매 모호"한 band structure를 가지고 있습니다. S를 함유하고 있는 관계상 광학 소재로의 용도가 높습니다. 이와 유사한 ZnS등 S를 함유하고 있는 물질들은 광학용으로의 소재로 주로 사용되며 대부분 모호한 band structure를 가지고 있습니다. GeS(Germanium Monosulfide)에 관한 자료도 첨부합니다. 첨부 자료 참고바랍니다.
    GeS2는 구조의 특성상 band structure를 한개로 명확히 규명하기가 어렵습니다. 이유는 Ge-Ge간의 구조, S-S간의 구조 그리고 Ge과 S 간의 함량의 비율 등으로 인하여 "애매 모호"한 band structure를 가지고 있습니다. S를 함유하고 있는 관계상 광학 소재로의 용도가 높습니다. 이와 유사한 ZnS등 S를 함유하고 있는 물질들은 광학용으로의 소재로 주로 사용되며 대부분 모호한 band structure를 가지고 있습니다. GeS(Germanium Monosulfide)에 관한 자료도 첨부합니다. 첨부 자료 참고바랍니다.
    명윤(nanouni) 2014-01-28

    ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????. ????????????????????????????????? SnS???????????????????????????????? ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? ???????????????????????????????????????????????????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????? ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? ???????????????????????????????????????????????????????????????? ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????

  • 답변

    김영국님의 답변

    GeS의 electron affinity: 2.5~3.5eV band gap: 1.58eV Reference: Soviet Physics Journal December 1985, Volume 28, Issue 12, pp 1008-1011 Electron work function and electronic affinity of intrinsic semiconductors V. K. Nevolin, V. A. Osadkin, T. D. Shermergor 좀 오래전에 발표된 것이지만 참고하시기 바랍니다.
    GeS의 electron affinity: 2.5~3.5eV band gap: 1.58eV Reference: Soviet Physics Journal December 1985, Volume 28, Issue 12, pp 1008-1011 Electron work function and electronic affinity of intrinsic semiconductors V. K. Nevolin, V. A. Osadkin, T. D. Shermergor 좀 오래전에 발표된 것이지만 참고하시기 바랍니다.
    명윤(nanouni) 2014-04-20

    ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????. ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????.

  • 답변

    안길홍님의 답변

    첨부 자료를 보시면 명확히 알 수 있습니다. SeS2같은 경우 α, 2d, 3d의 3가지 bandgap(band structure)를 가지고 있습니다. 무엇을 선택하는지에 따라 달라집니다.
    첨부 자료를 보시면 명확히 알 수 있습니다. SeS2같은 경우 α, 2d, 3d의 3가지 bandgap(band structure)를 가지고 있습니다. 무엇을 선택하는지에 따라 달라집니다.
    등록된 댓글이 없습니다.