2015-03-20
org.kosen.entty.User@4d2634c0
김용락(upi0122)
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Si의 전자와 홀의 유효질량을(structure) 보면 전자의질량 1.08 홀의 질량 0.81로 전자가 유효질량이 크다는 것을 알수 있는데요, 실제로는 transfer하는데에서는 전자의 mobility가 더 빠르다고 알고 있는데, 왜 더 빠른지 궁금합니다. 그리고 transfer를 전자를 사용하지않고 홀을 사용하면 더 stable하다는데, 어떤점이 왜 stable하다고 볼 수 있는건가요? valanceband 밑에서 홀이 이동하기 때문에 전자의경우는 CB를 넘어가서 이동해야 되기 때문에 그런가요?
그리고 TRAP에 관련하여 질문 드려봐요.
Trap 이 Eg 사이에 있게 되면, VB에서 CB로 전자가 올라갈때 trap에 전자가 먼저 채워지고나서 CB로 올라가기 때문에 trap이 없어야하고, 태양전지경우, Trap이 있게되면 recombination이 일어나기 때문에, 퀄리티를 좋게 하기 위해서라면 trap을 줄여야 한다는데, trap을 줄이기위해서는 어떤 방법들이 있을까요? 그리고 si을 공정하는 과정에서 trap은 어쩔수 없이 생기는 건가요? 어느정도생기는지 알 수 있을까요? trap이 의미하는바를 알겠는데, 줄이기 위한 방법이 궁금합니다.
그리고 TRAP에 관련하여 질문 드려봐요.
Trap 이 Eg 사이에 있게 되면, VB에서 CB로 전자가 올라갈때 trap에 전자가 먼저 채워지고나서 CB로 올라가기 때문에 trap이 없어야하고, 태양전지경우, Trap이 있게되면 recombination이 일어나기 때문에, 퀄리티를 좋게 하기 위해서라면 trap을 줄여야 한다는데, trap을 줄이기위해서는 어떤 방법들이 있을까요? 그리고 si을 공정하는 과정에서 trap은 어쩔수 없이 생기는 건가요? 어느정도생기는지 알 수 있을까요? trap이 의미하는바를 알겠는데, 줄이기 위한 방법이 궁금합니다.
- 실리콘
- 솔라셀
- 태양전지
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 2
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답변
신동협님의 답변
2015-03-20- 2
첨부파일
안녕하세요, 실리콘에서 trap은 주로 불순물에 의하거나 결정립계, twin, dislocation 등에 의해서도 가능합니다. 그러므로 실리콘 내부의 도펀트 불순물 이외의 순도를 낮추는 것이 첫 번째로 필요하고, 실리콘 의 결정립을 크게 하거나 단결정을 사용하는 것이 좋습니다.
더 궁금한 점이 있으면 말씀해주세요.
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답변
신동협님의 답변
2015-03-20- 1
첨부파일
안녕하세요, 실리콘 전자의 effective mass의 경우 4K 일 때는 전자가 홀보다 더 무겁지만, 300K에서는 홀이 더 무겁습니다. 일반적인 소자의 경우 상온에서 측정 작동하기 때문에 전자의 mobility가 더 빠른 것으로 알고 있습니다. 더 많은 정보는 아래에서 참고 하시면 될 것 같습니다.
http://en.wikipedia.org/wiki/Effective_mass_(solid-state_physics)
제가 질문드려도 될까요?
실리콘을 열처리하면 Twin이나 dislocation이 줄어들까요?