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pn junction diode photo

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제가 알기로 pn junction에 빛을 가하면 output curve가 전체적으로 내려가는 즉 forward 전류는 감소 reverse 전류는 증가하는 첫번째 그림과 같이 되는 것으로 알고 있었습니다만 2015년 Nanoscale에서 퍼블리시된 논문 Gate-tunable diode and photovoltaic effect in an organic–2D layered material p–n junction에 따르면 첨부한 두번째 그림과 같이 빛을 가했을때 reverse 전류와 forward 전류가 모두 증가하는 결과를 보여주어 의문이 생겨 질문합니다. 왜 forward 전류도 같이 증가하는 것인가요??
감사합니다.
  • pn junction
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답변 2
  • 답변

    신동협님의 답변

    제가 IV 커브를 보고 든 생각은
    레이저 파워가 커짐에 따라서 다이오드 특성이 현저이 저하되는 것으로 보입니다.
    즉 아주 약한 강도의 빛에서는 생선된 전하들이 서로 recombination이 되지 않고, 분리 수집되는 반면에 강한 강도의 빛에서는 옴의 법칙을 나타내는 직선 커브를 나타내고 있습니다. 이는 강한 빛에서 증복된 전하들이 분리 수집되지 않고, 서로 재결합해버리기 때문일 것으로 보입니다 (depletion region이 잘 형성되어 있지 않거나 built-in field가 매우 약하거나, carrier life time이 현저하게 짧거나 등등 여러가지 이유가 있을 수 있습니다.) 제 생각이 조금이나마 이해하시는 데 도움이 되었으면 합니다.
     
    제가 IV 커브를 보고 든 생각은
    레이저 파워가 커짐에 따라서 다이오드 특성이 현저이 저하되는 것으로 보입니다.
    즉 아주 약한 강도의 빛에서는 생선된 전하들이 서로 recombination이 되지 않고, 분리 수집되는 반면에 강한 강도의 빛에서는 옴의 법칙을 나타내는 직선 커브를 나타내고 있습니다. 이는 강한 빛에서 증복된 전하들이 분리 수집되지 않고, 서로 재결합해버리기 때문일 것으로 보입니다 (depletion region이 잘 형성되어 있지 않거나 built-in field가 매우 약하거나, carrier life time이 현저하게 짧거나 등등 여러가지 이유가 있을 수 있습니다.) 제 생각이 조금이나마 이해하시는 데 도움이 되었으면 합니다.
     
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  • 답변

    김종수님의 답변

    의견 감사합니다 그런데 IV 커브에서 직선형태가 나오기 때문에 높은 파워에서 다이오드의 특성이 저하된다는 말씀은 이해가 되었습니다만 낮은 파워쪽에서 아직 다이오드의 특성을 잃지 않았을때에도 그래프가 그림 1 처럼 전체적으로 내려가는 것이 아니라 왜 reverse 전류와 forward 전류가 모두 증가하는지가 궁금합니다. 
    의견 감사합니다 그런데 IV 커브에서 직선형태가 나오기 때문에 높은 파워에서 다이오드의 특성이 저하된다는 말씀은 이해가 되었습니다만 낮은 파워쪽에서 아직 다이오드의 특성을 잃지 않았을때에도 그래프가 그림 1 처럼 전체적으로 내려가는 것이 아니라 왜 reverse 전류와 forward 전류가 모두 증가하는지가 궁금합니다. 
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