지식나눔

원자층 식각에서 질문드립니다.

원자층 식각에 대해서 공부하고 있는 학생입니다.
논문들을 읽어가며 하나하나 공부해가고 있는데, 수강신청에 번번히 실패해서 아직도 반도체 관련 과목을 하나도 듣지 못했습니다. 제 이해력으로는 전공지식을 번역해가며 읽자니 너무 속도가 더뎌서 질문드립니다!
이 글을 올리고도 계속 논문을 읽으며 공부할 예정입니다만, 코센에는 워낙 저명하시고 설명을 잘해주시는 분들이 많이 계셔서 조금 도움이 될까 하고 질문드립니다.

원자층 식각(Atomic Layer Etching)에 대해서, 해당 기술이 필요한 이유, 원리, 장점 등을 알려주실수 있나요? 사실, 원자층 단위로 벗겨내어 정밀도를 향상시켜 꿈의 디바이스로 가기 위해서 필요한 개념이라는 것 정도..? 개념이 어느정도는 잡히긴 하는데, 반도체 관련된 용어들을 하나도 몰라서 하나하나 알아가며 하기가 쉽지 않네요ㅠㅠ

공부하며, 가끔 들어와서 답변 확인하겠습니다! 불쌍한 중생을 구해주세요.. 재미있게 공부하고싶습니다 ㅠ
  • 에칭
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 2
  • 답변

    이창석님의 답변

    원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 및 원자층 식각(Atomic Layer Etching)을 하나의 개념을 보시면 될것같은데, CVD와 ALD,ALT간의 비교를 해보면 그 장점을 명확히 알 수 있습니다.

    CVD의 경우 Source gas들의 decomposition이 발생하고, 활발한 증착이 가능합니다. lateral 및 vertical 방향으로 증착이 동시다발적으로 이루어질 수 있습니다. 미세한 패턴 구조의, 즉 trench 구조 안에 증착할 경우 source gas의 크기에 따라 trench 안에 증착이 어려울 수 도 있고, uniform한 증착에 한계가 있을 수 있습니다.

    ALD,ALT 기술의 경우 표면 chemistry를 이용하는 증착 또는 식각 기술로, 통상적으로 source gas들의 thermal decomposition 영역 아래에서 반응이 진행됩니다. 즉 저온에서 반응을 유도하게 되고, 균일한 증착 또는 식각이 가능합니다. 표면 반응에 의존하므로, trench 구조에서도 step coverage 문제 없이 균일하게 증착 또는 식각이 가능합니다. 또한 CVD 기술은 단일 웨이퍼 단위로만 공정이 진행되지만, ALD, ALT 기술은 역시 표면의 chemistry에만 의존하므로 대량의 웨이퍼를 동시에 진행할 수 있기 때문에 수율이 높다고 할 수 있습니다.
     
    원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 및 원자층 식각(Atomic Layer Etching)을 하나의 개념을 보시면 될것같은데, CVD와 ALD,ALT간의 비교를 해보면 그 장점을 명확히 알 수 있습니다.

    CVD의 경우 Source gas들의 decomposition이 발생하고, 활발한 증착이 가능합니다. lateral 및 vertical 방향으로 증착이 동시다발적으로 이루어질 수 있습니다. 미세한 패턴 구조의, 즉 trench 구조 안에 증착할 경우 source gas의 크기에 따라 trench 안에 증착이 어려울 수 도 있고, uniform한 증착에 한계가 있을 수 있습니다.

    ALD,ALT 기술의 경우 표면 chemistry를 이용하는 증착 또는 식각 기술로, 통상적으로 source gas들의 thermal decomposition 영역 아래에서 반응이 진행됩니다. 즉 저온에서 반응을 유도하게 되고, 균일한 증착 또는 식각이 가능합니다. 표면 반응에 의존하므로, trench 구조에서도 step coverage 문제 없이 균일하게 증착 또는 식각이 가능합니다. 또한 CVD 기술은 단일 웨이퍼 단위로만 공정이 진행되지만, ALD, ALT 기술은 역시 표면의 chemistry에만 의존하므로 대량의 웨이퍼를 동시에 진행할 수 있기 때문에 수율이 높다고 할 수 있습니다.
     
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    정연학님의 답변

    코젠자료 중에 "반도체 산업에서의 원자층 식각" 이란 키워드 치시면 참조가 될 듯합니다.

    원자층 식각(Atomic layer etching, ALE)은 자체제한적인 반응을 차례로 일어나게 해서 증착시킨 박막물질을 제거하는 기술이다. 요즘 ALE는 반도체 산업에서 연속적인 식각을 대신할 수 있으며, 이는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)과 대응되는 개념이다. 이 논문은 ALE의 기준을 정의함과 동시에 이 분야에서 쓰이는 용어와 가정을 명확히 한다. ALE 과정을 이해하기 위해, 대표적으로 실리콘 ALE를 예로 들고 있으며, 플라즈마를 이용한 과정의 장점과 다른 물질들의 연구도 소개하고 있다. 방향성이 있는 ALE에 중점을 두면서도 등방성 ALE도 다루고 있다.
    코젠자료 중에 "반도체 산업에서의 원자층 식각" 이란 키워드 치시면 참조가 될 듯합니다.

    원자층 식각(Atomic layer etching, ALE)은 자체제한적인 반응을 차례로 일어나게 해서 증착시킨 박막물질을 제거하는 기술이다. 요즘 ALE는 반도체 산업에서 연속적인 식각을 대신할 수 있으며, 이는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)과 대응되는 개념이다. 이 논문은 ALE의 기준을 정의함과 동시에 이 분야에서 쓰이는 용어와 가정을 명확히 한다. ALE 과정을 이해하기 위해, 대표적으로 실리콘 ALE를 예로 들고 있으며, 플라즈마를 이용한 과정의 장점과 다른 물질들의 연구도 소개하고 있다. 방향성이 있는 ALE에 중점을 두면서도 등방성 ALE도 다루고 있다.
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