지식나눔

FE-SEM 7800F Prime 모델로 나노파티클 보려는데 스펙좀 봐주세요!!

제가 은, 백금-은 합금  나노 입자 ~ 20 nm size 정도 되는걸 FE-SEM으로 측정해서 Size distribution, shape, eds 분석을 하려고하는데,

FE-SEM 7800 F로 측정이 가능할지 궁금합니다

SPEC이
1) Resolution
- 15 kV : 0.7 nm
- 1 kV : 0.7 nm
- 5 kV, 5nA : 3.0 nm
2) Probe current
- 30 kV : 500nA
- 2 kV : 20 nA
3) Magnification : x25 to x1,000,000
4) Accel.voltage : 0.01kV ~ 30kV
5) Electron gun : In-lens Schottky plus field emission electron gun
6) Objective lens : Super hybrid lens
7) Specimen stage
- X axis : 70 mm
- Y axis : 50 mm
- Z axis : 2 mm to 41mm
- Tilt : -5° to +70°
- Rotation : 360°
8) Detector : LED, UED, USD, BED
9) EDS : SDD Type (Active area 80mm2)
 
1) Resolution
- 15 kV : 0.7 nm
- 1 kV : 0.7 nm
- 5 kV, 5nA : 3.0 nm
2) Probe current
- 30 kV : 500nA
- 2 kV : 20 nA
3) Magnification : x25 to x1,000,000
4) Accel.voltage : 0.01kV ~ 30kV
5) Electron gun : In-lens Schottky plus field emission electron gun
6) Objective lens : Super hybrid lens
7) Specimen stage
- X axis : 70 mm
- Y axis : 50 mm
- Z axis : 2 mm to 41mm
- Tilt : -5° to +70°
- Rotation : 360°
8) Detector : LED, UED, USD, BED
9) EDS : SDD Type (Active area 80mm2)

이렇다고 합니다
  • sem
  • nanoparticle
  • nano
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 4
  • 답변

    변성천님의 답변

    분해능이 0.7nm 이므로 측정은 가능합니다.

    일단 시료가 전도성이 있느냐가 문제가 됩니다.
    전도성이 없다면 보통 코팅을 하는데 코팅입자가 대략 2-5nm정도입니다.
    그래서 시료와 코팅물지간의 구별이 안 될 수도 있죠.
    시료가 은 , 백금 입자이므로 전동성에는 문제가 없을 수도 있습니다.
    하지만  시료 전체가 이런 성분이 아닌 부도체 성분이 있다면 문제가 있을 수 있습니다.

    부도체 성분을 코팅없이 보기 위해서는 일반적으로
    저진공상태에서 보는 경우와 저가속전압으로 보는 경우가 있습니다.
    저진공상태는 챔버내에 있는 가스 분자가 대전된 시료를 방전시키는 효과와 함께 BSE전자를
    기본으로 채택하기 때문에 가능하죠. 하지만 분해능이 떨어지는 단점이 있습니다.

    저가속전압에서 보는 경우는 시료에 들어가는 일차전자와 시료에서 나오는 SE전자와 BSE전자의 개수가 같아지거나 비슷해지는 지점의 가속전압을 이용하기 위해서입니다.
    같아지는 경우는 대전현상이 발생하지 않게지만, 해당하는 가속전압을 정확히 찾기는 어렵습니다. 그래서 보통 1-3kV의 가속전압 주위에서 찾아봅니다. 

    그래서, 코팅을 하지 않고 시료를 관찰하기 위해서는
    저가속전압 1-3kV 정도에서 측정하면 가능할 수 있습니다.

    하지만 가속전압이 낮으면 분해능이 떨어지고, 비점수차등도 조절해야 하므로 번거롭다고
    하는  경우가 있습니다. 그래서, 떨어진 분해능을 만회하기 위해서는 WD를 짧게 가지고 가야
    합니다. WD값이 작을수록 분해능이 좋아지기 때문입니다.

    그래서, 일단 1-3kV 가속전압 정도에서 WD는 3mm 정도를 추천합니다.

    EDS는 일반적으로 WD는 8mm(모델마다 차이는 있습니다.), 가속전압은 15kV이상에서
    분석을 진행합니다. 그 이유는 그 정도의 가속전압이 되어야 모든 원소가 분석된다는 전제하에서죠.

    하지만 실리콘 기판위에 20nm 백금입자가 있다면 분석이 안 될 수 있습니다.
    그것은 상호반응부피가 크기 때문이죠. 백금입자에 관한 특성 X선 양이 너무 작고 , Si기판의
    X선 양이 많아서 Si기판만 분석되기 합니다.
    그래서, 이 정도 크기의 백금을 분석하려면 상호반응부피가 줄이고, 백금이 여기되어
    특성 X선 양이 적당이 나올 수 있는 가속전압이  5kV가 적당합니다.
    가속전압이 낮으면 특성 X선 양이 줄기 때문에 그전에 많이 사용하던 Si 타입의 EDS에서는
    분석이 안 될 수 있습니다. 그런데, SDD타입는 Si타입보다 검출효율이 대략 5배정도 많다고 합니다.
    X선 양을 늘리기 위해 조리개의 크기가 큰 것으로 선택해서 사용해야 합니다..

    그래서, EDS 검출기도 SDD타입에 80mm2 가능성이 충분히 높습니다.
    아마도 맵핑도 가능할 것 같네요. 그래서, 분포도도 확인할 수 있습니다.

    하지만, 크기가 작아서 분포도가 잘 구분이 안 될 수도 있습니다.

    이때는 다른 방법으로 BSE전자를 이용해 성분 분포도를 확인하는 방법을 추천합니다.
    정확히 어떤 원소인지는 모르지만, 원소의 원자번호가 커질수록 전자가 많이 방출되어
    이미지가 밝게 보입니다. 그래서, 명암으로 원소의 분포도를 확인할 수 있습니다.
    장점은 상호반응부피가 특성 X선보다 작아 공간 분해능이 좋아 더 높은 배율에서 확인할 수 있습니다.
     
    분해능이 0.7nm 이므로 측정은 가능합니다.

    일단 시료가 전도성이 있느냐가 문제가 됩니다.
    전도성이 없다면 보통 코팅을 하는데 코팅입자가 대략 2-5nm정도입니다.
    그래서 시료와 코팅물지간의 구별이 안 될 수도 있죠.
    시료가 은 , 백금 입자이므로 전동성에는 문제가 없을 수도 있습니다.
    하지만  시료 전체가 이런 성분이 아닌 부도체 성분이 있다면 문제가 있을 수 있습니다.

    부도체 성분을 코팅없이 보기 위해서는 일반적으로
    저진공상태에서 보는 경우와 저가속전압으로 보는 경우가 있습니다.
    저진공상태는 챔버내에 있는 가스 분자가 대전된 시료를 방전시키는 효과와 함께 BSE전자를
    기본으로 채택하기 때문에 가능하죠. 하지만 분해능이 떨어지는 단점이 있습니다.

    저가속전압에서 보는 경우는 시료에 들어가는 일차전자와 시료에서 나오는 SE전자와 BSE전자의 개수가 같아지거나 비슷해지는 지점의 가속전압을 이용하기 위해서입니다.
    같아지는 경우는 대전현상이 발생하지 않게지만, 해당하는 가속전압을 정확히 찾기는 어렵습니다. 그래서 보통 1-3kV의 가속전압 주위에서 찾아봅니다. 

    그래서, 코팅을 하지 않고 시료를 관찰하기 위해서는
    저가속전압 1-3kV 정도에서 측정하면 가능할 수 있습니다.

    하지만 가속전압이 낮으면 분해능이 떨어지고, 비점수차등도 조절해야 하므로 번거롭다고
    하는  경우가 있습니다. 그래서, 떨어진 분해능을 만회하기 위해서는 WD를 짧게 가지고 가야
    합니다. WD값이 작을수록 분해능이 좋아지기 때문입니다.

    그래서, 일단 1-3kV 가속전압 정도에서 WD는 3mm 정도를 추천합니다.

    EDS는 일반적으로 WD는 8mm(모델마다 차이는 있습니다.), 가속전압은 15kV이상에서
    분석을 진행합니다. 그 이유는 그 정도의 가속전압이 되어야 모든 원소가 분석된다는 전제하에서죠.

    하지만 실리콘 기판위에 20nm 백금입자가 있다면 분석이 안 될 수 있습니다.
    그것은 상호반응부피가 크기 때문이죠. 백금입자에 관한 특성 X선 양이 너무 작고 , Si기판의
    X선 양이 많아서 Si기판만 분석되기 합니다.
    그래서, 이 정도 크기의 백금을 분석하려면 상호반응부피가 줄이고, 백금이 여기되어
    특성 X선 양이 적당이 나올 수 있는 가속전압이  5kV가 적당합니다.
    가속전압이 낮으면 특성 X선 양이 줄기 때문에 그전에 많이 사용하던 Si 타입의 EDS에서는
    분석이 안 될 수 있습니다. 그런데, SDD타입는 Si타입보다 검출효율이 대략 5배정도 많다고 합니다.
    X선 양을 늘리기 위해 조리개의 크기가 큰 것으로 선택해서 사용해야 합니다..

    그래서, EDS 검출기도 SDD타입에 80mm2 가능성이 충분히 높습니다.
    아마도 맵핑도 가능할 것 같네요. 그래서, 분포도도 확인할 수 있습니다.

    하지만, 크기가 작아서 분포도가 잘 구분이 안 될 수도 있습니다.

    이때는 다른 방법으로 BSE전자를 이용해 성분 분포도를 확인하는 방법을 추천합니다.
    정확히 어떤 원소인지는 모르지만, 원소의 원자번호가 커질수록 전자가 많이 방출되어
    이미지가 밝게 보입니다. 그래서, 명암으로 원소의 분포도를 확인할 수 있습니다.
    장점은 상호반응부피가 특성 X선보다 작아 공간 분해능이 좋아 더 높은 배율에서 확인할 수 있습니다.
     
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  • 답변

    최규석님의 답변

    스펙 상으로는 가능합니다.
    아울러 나노입자여도 말씀하신 내용은 시료는 잘 나옵니다.
    하지만 저는 스펙도 중요하지만 측정하는 분이 얼마나 SEM을 측정해봤는지가 중요하다고
    생각이 됩니다.
    일반적으로 측정되는 시료들의 SEM을 많이 측정하지 않아도 다른 사람들과 비슷하게 측정이
    되지만 현재 하실려고 하는 것은 저압에서 측정을 잘 하셔야되는데요. 이런 경우에는
    SEM을 많이 측정해본 사람과 그렇지 않은 사람과 차이가 분명이 있습니다. 개인적인 생각이지만
    만약 SCI 논문을 내야 되면 일단은 분석기관에서 많이 하신 분에게 측정하시는 것이 괜찮다고 생각됩니다.
    스펙 상으로는 가능합니다.
    아울러 나노입자여도 말씀하신 내용은 시료는 잘 나옵니다.
    하지만 저는 스펙도 중요하지만 측정하는 분이 얼마나 SEM을 측정해봤는지가 중요하다고
    생각이 됩니다.
    일반적으로 측정되는 시료들의 SEM을 많이 측정하지 않아도 다른 사람들과 비슷하게 측정이
    되지만 현재 하실려고 하는 것은 저압에서 측정을 잘 하셔야되는데요. 이런 경우에는
    SEM을 많이 측정해본 사람과 그렇지 않은 사람과 차이가 분명이 있습니다. 개인적인 생각이지만
    만약 SCI 논문을 내야 되면 일단은 분석기관에서 많이 하신 분에게 측정하시는 것이 괜찮다고 생각됩니다.
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  • 답변

    김아영님의 답변

     resolution으로 충분히   shape 구분 되고 EDS도되구 그러니 측정 가능하실것 같네요.
     resolution으로 충분히   shape 구분 되고 EDS도되구 그러니 측정 가능하실것 같네요.
    등록된 댓글이 없습니다.
  • 답변

    강광철님의 답변

    모양구분은 가능할것 같고 원소 분석도 가능합니다.

    측정하실때 같이 보면서 사이즈및 모양을 확인하시면 원하는것을 얻을실수도 있겠네요..

    SEM이라는것이  잘나온것을 선택하는측면이 있기에...
    모양구분은 가능할것 같고 원소 분석도 가능합니다.

    측정하실때 같이 보면서 사이즈및 모양을 확인하시면 원하는것을 얻을실수도 있겠네요..

    SEM이라는것이  잘나온것을 선택하는측면이 있기에...
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