지식나눔

SEM과 XPS 원리에 관하여 궁금한 사항이 있어서 질문합니다.

SEM과 XPS 원리에 관하여 궁금한 사항이 있어서 질문합니다.

SEM는 전자를 시료에 가해 다시 튀어나온 SE, BSE 특성X선을  이용하고
XPS는 특정 파장의 X선을 시료에 가해 다시 튀어나온 광전자를 이용하는 것으로 알고있습니다.

그래서 SEM의 경우에는 가속전압에 따라 분석깊이가 달라지고
튀어 나온 SE, BSE는 에너지에 따라 나오는 분석 깊이가 달라진다고 알고 있습니다.
SE는 보통 50eV이하여서 10nm이하의 범위에서
BSE는 가속전압에 따라 약 100 ~ 300nm 범위에서 튀어나온다.

그런데, 전자는 극성이 있어서 보통 1 ~ 3um 정도 들어가는 것 같은데
XPS에서 사용하는 X선은 더 깊은 곳 까지 들어가지 않나요?

그리고, XPS에서는 5nm 깊이 범위내에서 다양한 에너지 가진 광전자가 튀어나와서
이 광전자를 운동에너지를 측정하여 바인딩에너지를 구하는 것으로 알고 있습니다.
그런데, 다양한 에너지를 가진 광전자 약 5nm범위내에서만 튀어나오죠?
BSE와 비교하면 더 깊은 범위에서도 나오지 않나요?

 
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