2025-02-27
org.kosen.entty.User@22650a7
익명
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안녕하세요 HfO2를 게이트 절연막으로 사용한 산화물 TFT에 대해 실험을 해보려고 합니다.
실험은 스퍼터링으로 진행되며 (식각 공정x) 대략적인 측정 계획으로는 SS값을 I-V curve를 통해 확인하고, 양/음 스윕을 통해 히스테리시스 특성을 보고 문턱 전압의 차이를 확인하여 계면 트랩의 유무를 본 뒤에 SS공식으로 C_it를 유도하여 계산해보려고 합니다.
그러기 위해서는 절연층의 두께와 유전율을 알아야 하는데 유전율을 구하기 위해 MIS 커패시터 구조로 C-V측정을 통해 알 수 있다고 하는데 어떤 식으로 해야할지 감이 잡히지 않아 질문드립니다.
또한 HfO2의 공정 조건에 대해 조언을 주신다면 정말 감사드리겠습니다.
- HfO2
- MIS
- rf sputtering
- 유전율
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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