동향

차세대 메모리 PRAM

분야

전기/전자

발행기관

이재민


첨부파일


PRAM(Phase Change Memory:상변화메모리)은 차세대 메모리로서 DRAM의 capacitor를 GST(Ge-Sb-Te) 물질로 치환한 구조이며 비휘발성 메모리이다.
PRAM 시장규모는 2010년도에는 0.1억 달러에 불과할 것으로 예상되나 2013년 경에는 5.5억 달러 규모로 급격히 성장할 것으로 예상된다.
PRAM 선도 기업으로는 뉴모닉스, 삼성전자가 있으며 삼성전자는 2010년 4월에 65나노 공정을 사용하여 512Mb 용량의 PRAM을 MCP(Multi-Chip Package)용으로 양산하기 시작했다.
모바일 휴대폰에 사용되는 MCP 영역에서 PRAM은 NOR Flash와 경쟁 관계를 형성해 나가고 있다.
PRAM이 활용될 수 있는 제품 영역은 모바일 휴대폰뿐만 아니라 MP3플레이어, 네비게이션, SSD 그리고 HDTV 등으로 확대될 수 있다.



출처 : MIRIAN KISTI 분석보고서 KMR

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