2009-01-23
org.kosen.entty.User@1b38f527
강찬민(uggiking)
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안녕하세요. 내일이면 긴 연휴가 시작인데 열심히 연구하시고 공부하시는분들 다들 화이팅입니다. ^^;
현재 KOH : DI water 를 혼합하여 (110) 방향의 실리콘을 식각하고자 합니다.
기존에 나온 논문들을 보거나 파는 시약의 스펙들을 확인해보니 etch rate/min 1.2~1.4um 정도 되더군요 지금 현제 원하는 식각의 profile 은 가로 세로 1:1 의 비율이며 20nm~40nm 정도 생각하고 있습니다. 어떤분께 여쭈어 용액에 무엇을 타서 식각의 속도를 변화시킬수 있다고 하더군요 용액에 넣는것이 무엇인지 궁금하고....얼마만큼 넣어야 하는지를 좀 알고 십습니다. 예를 들면 KOH:DI 몇 대 몇 비율로 넣은 상태에서 총량이 1000mL 엿을 경우 무슨 물질을 몇 g 또는 몇 ml 를 넣어야 하는지 알고 싶습니다. ^^
최대한 빠른 답변 주시면 고맙겠습니다.
- Si
- etching
- Si etching
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 2
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답변
안길홍님의 답변
2009-01-23- 0
첨부자료를 참고하여 보세요. -
답변
이상후님의 답변
2010-01-30- 0
>안녕하세요. 내일이면 긴 연휴가 시작인데 열심히 연구하시고 공부하시는분들 다들 화이팅입니다. ^^; > >현재 KOH : DI water 를 혼합하여 (110) 방향의 실리콘을 식각하고자 합니다. > >기존에 나온 논문들을 보거나 파는 시약의 스펙들을 확인해보니 etch rate/min 1.2~1.4um 정도 되더군요 지금 현제 원하는 식각의 profile 은 가로 세로 1:1 의 비율이며 20nm~40nm 정도 생각하고 있습니다. 어떤분께 여쭈어 용액에 무엇을 타서 식각의 속도를 변화시킬수 있다고 하더군요 용액에 넣는것이 무엇인지 궁금하고....얼마만큼 넣어야 하는지를 좀 알고 십습니다. 예를 들면 KOH:DI 몇 대 몇 비율로 넣은 상태에서 총량이 1000mL 엿을 경우 무슨 물질을 몇 g 또는 몇 ml 를 넣어야 하는지 알고 싶습니다. ^^ > >최대한 빠른 답변 주시면 고맙겠습니다. Wet-Chemical Etching 에 대한 세부적인 설명 자료 첨부합니다.
감사합니다. ^^;
현재 글을 늦게 본지라..우선 실험은 진행되었는데 결과치가 않좋을경우엔 보내주신 자료검토후 다시 재실험해도 무방할거같네요 ... 좋은자료 감사합니다. ^^;