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SiO2, Nb2O5, TiO2 박막의 유전율

박막의 유전율을 알고 싶습니다. SiO2, Nb2O5, TiO2 두께 50nm 박막상의 유전율은 어느정도 이며? 유전율이 박막에서 어떤 영향을 끼치는지?
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답변 3
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    강광철님의 답변

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    31이고 Rutil: 114 입니다. SiO2 의 유전율(K값)= 3.9~4.2
    31이고 Rutil: 114 입니다. SiO2 의 유전율(K값)= 3.9~4.2
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    김채형님의 답변

    반도체 절연막 재료로 많이 사용되는 SiO2 박막은 유전율이 3.9 입니다. 이 유전율 값은 너무 높아 고집적화된 소자의 층간 절연막으로 사용되면 기생 정전 용량이 배선 사이에 발생하게 됩니다. 배선 사이에 발생한 기생 정전 용량에 의하여 RC 시간 지연과 사용 전력량의 증가, 상호간섭에 의한 잡음 등이 일어나 소자의 고집적화 및 고속화에 장애가 된다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 새로운 저 유전율 물질 개발과 고밀도 패턴 상에서 균일한 평탄화 박막을 형성하는 공정이 요구되고 있으며 이에 따른 여러 가지 유기 박막, 유-무기 혼합형 및 다공질의 저유전율 물질들에 대한 연구가 진행되고 있습니다. KAIST 신소재공학과 배교수님 연구팀 논문을 보면.. 박막의 두께는 500 nm 정도. 유-무기 하이브리드 박막에 불소의 양이 증가 함에 따라서 유전율이 4.2에서 2.98까지 감소하였다는 결과를 보이고 있음.
    반도체 절연막 재료로 많이 사용되는 SiO2 박막은 유전율이 3.9 입니다. 이 유전율 값은 너무 높아 고집적화된 소자의 층간 절연막으로 사용되면 기생 정전 용량이 배선 사이에 발생하게 됩니다. 배선 사이에 발생한 기생 정전 용량에 의하여 RC 시간 지연과 사용 전력량의 증가, 상호간섭에 의한 잡음 등이 일어나 소자의 고집적화 및 고속화에 장애가 된다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 새로운 저 유전율 물질 개발과 고밀도 패턴 상에서 균일한 평탄화 박막을 형성하는 공정이 요구되고 있으며 이에 따른 여러 가지 유기 박막, 유-무기 혼합형 및 다공질의 저유전율 물질들에 대한 연구가 진행되고 있습니다. KAIST 신소재공학과 배교수님 연구팀 논문을 보면.. 박막의 두께는 500 nm 정도. 유-무기 하이브리드 박막에 불소의 양이 증가 함에 따라서 유전율이 4.2에서 2.98까지 감소하였다는 결과를 보이고 있음.
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    조윤환님의 답변

    첨부 문헌을 확인하세요. 자세한 설명과 측정치가 첨부되어 있습니다.
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