2014-11-12
org.kosen.entty.User@6a001b1b
이종훈(coldblink)
- 2
전도성 고분자를 하나 합성했는데 이를 이용해서 OTFT를 연구해주신 분이 있습니다.
그래서 관련된 공부를 시작하려고 하는데 너무 막막해서 도움을 부탁드리고 싶습니다.
다음과 같은 트랜지스터 입니다.
OTFT의 간단한 작동원리를 어느정도 알게 되었는데 조금 더 명쾌한 설명이 있으면 좋겠습니다.
위의 그래프는 2.875 마이크로 미터 증착한 전도성 고분자로 만든
TFT로 면저항은 약 30 옴으로 측정되었다고 합니다.
이로 인해 OTFT로의 적용 가능성을 확인했다고 합니다.
여기서 그래프를 해석할 줄 모르겠고, 왜 가능성이 있는 것인지 알고 싶습니다.
이 사진은 해당 OTFT의 Fe-SEM 이미지인데 여기서 어떤 점을 확인해야 하는지 알고 싶습니다.
그래서 관련된 공부를 시작하려고 하는데 너무 막막해서 도움을 부탁드리고 싶습니다.
다음과 같은 트랜지스터 입니다.
OTFT의 간단한 작동원리를 어느정도 알게 되었는데 조금 더 명쾌한 설명이 있으면 좋겠습니다.
위의 그래프는 2.875 마이크로 미터 증착한 전도성 고분자로 만든
TFT로 면저항은 약 30 옴으로 측정되었다고 합니다.
이로 인해 OTFT로의 적용 가능성을 확인했다고 합니다.
여기서 그래프를 해석할 줄 모르겠고, 왜 가능성이 있는 것인지 알고 싶습니다.
이 사진은 해당 OTFT의 Fe-SEM 이미지인데 여기서 어떤 점을 확인해야 하는지 알고 싶습니다.
- OTFT
- 전도성 고분자
- 데이터
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 2
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답변
안길홍님의 답변
2014-11-13- 1
위의 그림1에서 Source와 Drain은 있는데 Gate가 빠져 있습니다.
면저항 30옴이면 transistor로 사용가능합니다.
그림2의 그래프는 어느정도의 전압을 가하였을 때 전자의 이동도 (전류)가 어떻게 변화하는지에 대한 내용을 나타내고 있습니다.
유사한 자료를 참고바랍니다. -
답변
박도혁님의 답변
2014-11-13- 1
전도성 고분자의 Hall effect 측정 하시길 바랍니다. 제 생각에는 전도성 고분자(Channel)층의 두께가 너무 두껍다고 보통 OTFT의 채널 층으로는 수십 나노 레벨로 증착 및 코팅 하고 있습니다.
구글에서 많이 제공 되고 있으니 논문을 참고하시기 바랍니다.
그리고 Vg-Id 그래프에서 전달 특성으로 보이기 보다는 저항 특성으로만 동작하는것 같습니다.
채널층의 두께 조절 후, 특성에 대해 다시 측정해 보시길 바랍니다.