2023-06-24
org.kosen.entty.User@65f838eb
익명
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RIE 장비로 etching 하는 것이 아닌 Ar plasma만 가해서 treatment만 진행하고 싶습니다.
제가 RIE장비에 대해 잘 모르겠어 공부는 하고 있지만 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.
보통 etching시엔 시간과 power를 어떻게 가하는지, 좀 더 약하게 하려면 어느정도가 적당할지 조언을 구하고 싶습니다.
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 2
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답변
이차범님의 답변
2023-06-24- 1
요즘은 RIE 장비가 잘 나옵니다. 최근에는 10um/분 이상의 속도로 에칭도 가능하더라구요. 여러 옵션이 많으니, 아무래도 제조사에 물어보는게 좋습니다. -
답변
정연학님의 답변
2023-06-24- 1
RIE는 플라즈마를 통해 이온화된 반응성 가스와 플라즈마 내 양이온의 충돌을 활용하는 방법입니다.
RF power를 약하게 할 경우 self bias effect가 작아 양이온들이 작은 에너지로 기판과 출동하여 플로로카본이 증착하게 됩니다.
높은 RF power를 인가할 경우 self bias effect가 높아 이온 출동에 의한 에칭이 일어납니다.
에칭시간과 power는 직접 본인이 실험으로 조건을 찾아보셔야 할 것 같습니다.